公开(公告)号：CN101861640B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN200880116198.2

申请日：2008-11-13

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 崎尾进 ,  竹井日出夫 ,  齐藤一也 ,  渡边一弘 ,  井口真介 ,  山川洋幸 ,  中村久三 ,  林郁欣 ,  张晃崇 ,  吴东荣

IPC: H01L21/3065 ,  H01L31/04 ,  H01L33/00

CPC classification number: H05K3/381 ,  H01L31/02363 ,  H01L33/24 ,  H05K2201/0212 ,  H05K2203/095 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/24479

Abstract: 本发明提供一种可减少工序的数量并在基板表面上形成凹凸结构的基板处理方法。在本发明的基板处理方法中，在基板(10)的表面(10s)上分散粒子(11)，以粒子为掩膜对基板的表面进行蚀刻处理并在基板的表面上形成凹凸结构，与此同时，通过上述蚀刻处理除去掩膜(11)。若采用上述基板处理方法，不需要在形成凹凸结构(12)后再从基板表面(10s)上除去掩膜(11)的工序。所以该方法可以大幅减少在基板表面上形成凹凸结构时所需的工序的数量，从而能够大幅提高生产效率。

公开(公告)号：CN101861640A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200880116198.2

申请日：2008-11-13

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 崎尾进 ,  竹井日出夫 ,  齐藤一也 ,  渡边一弘 ,  井口真介 ,  山川洋幸 ,  中村久三 ,  林郁欣 ,  张晃崇 ,  吴东荣

IPC: H01L21/3065 ,  H01L31/04 ,  H01L33/00

CPC classification number: H05K3/381 ,  H01L31/02363 ,  H01L33/24 ,  H05K2201/0212 ,  H05K2203/095 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/24479

Abstract: 本发明提供一种可减少工序的数量并在基板表面上形成凹凸结构的基板处理方法。在本发明的基板处理方法中，在基板(10)的表面(10s)上分散粒子(11)，以粒子为掩膜对基板的表面进行蚀刻处理并在基板的表面上形成凹凸结构，与此同时，通过上述蚀刻处理除去掩膜(11)。若采用上述基板处理方法，不需要在形成凹凸结构(12)后再从基板表面(10s)上除去掩膜(11)的工序。所以该方法可以大幅减少在基板表面上形成凹凸结构时所需的工序的数量，从而能够大幅提高生产效率。