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公开(公告)号：CN113544308B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202080016713.0
申请日：2020-04-27
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/01 , H01L21/363
摘要： 本发明实施例涉及抑制遮挡部件脱落。在溅射靶中，靶主体具有包围筒状衬管的外周面的圆筒状的多个靶部件，多个靶部件的分别以在衬管的中心轴方向上分离的方式排列设置，通过在中心轴方向排列多个靶部件而在相邻的靶部件之间形成的间隙环绕衬管的中心轴周围，在上述衬管侧形成有与间隙连通的凹部。接合材料设置在衬管与上述靶主体之间，将多个靶部件分别与衬管接合。遮挡部件配置在接合材料与靶主体之间，被容纳在凹部，从上述接合材料侧遮挡间隙。
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公开(公告)号：CN113490763A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202080016679.7
申请日：2020-04-27
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/01 , H01L21/363
摘要： 本发明实施例涉及更加可靠地抑制接合材料侵入在相邻的靶部件之间形成间隙。衬管为筒状且在外周面形成有多个凹部。靶主体具有包围衬管的外周面的圆筒状的多个靶部件，多个靶部件分别以分离的方式排列设置。通过在中心轴方向上排列多个靶部件而在相邻的靶部件之间形成的间隙环绕在衬管的中心轴周围，间隙与多个凹部分别交叉。接合材料设置在衬管与靶主体之间，将多个靶部件分别与上述衬管接合。遮挡部件以分别跨过多个凹部的方式配置在接合材料与靶主体之间，从接合材料侧遮挡间隙。
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公开(公告)号：CN111373514A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201880074511.4
申请日：2018-11-19
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L21/363 , C23C14/08 , H01L29/786
摘要： 本发明提供了一种氧化物半导体薄膜，其由包含In、Zn、Ti及Sn的氧化物半导体构成，(In+Sn)/(In+Zn+Ti+Sn)的原子比为0.36以上且0.92以下，Sn/(In+Sn)的原子比为0.02以上且0.46以下，Sn/(In+Zn+Ti+Sn)的原子比为0.01以上且0.42以下，Ti/(In+Zn+Ti+Sn)的原子比为0.01以上且0.10以下。
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公开(公告)号：CN113508187B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202080016634.X
申请日：2020-04-27
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/01 , H01L21/363
摘要： 本发明提供一种即使是长的圆筒型，也能够抑制微粒、异常放电的溅射靶。在本发明的溅射靶中，靶主体包括沿着筒状衬管的外周面排列设置且具有圆弧状剖面的多个靶构件。多个靶构件以彼此分开的方式围绕衬管的中心轴配置。围绕中心轴排列的靶构件间形成的间隙在衬管的中心轴方向延伸。接合材料设置在衬管与靶主体之间，将衬管和多个靶构件中的每一个接合。遮挡构件设置在接合材料与靶主体之间，从接合材料侧遮挡间隙。
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公开(公告)号：CN114008237A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202080044257.0
申请日：2020-04-27
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/01 , H01L21/363
摘要： 本发明提供了一种代替IGZO的高特性的氧化物半导体薄膜制造用的溅射靶及其制造方法。为了达成上述目的，本发明的一个方式的溅射靶由包含铟、锡以及锗的氧化物烧结体构成，锗相对于铟、锡及锗的总和的原子比为0.07以上且0.40以下，锡相对于铟、锡及锗的总和的原子比为0.04以上且0.60以下。由此，能够得到具有10cm2/Vs以上的迁移率的晶体管特性。
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公开(公告)号：CN108352410A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680063644.2
申请日：2016-11-22
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/203 , H01L21/336
CPC分类号： C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/203 , H01L29/786
摘要： 本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管，其具有：栅电极；活性层，其由含有铟、锌以及钛的氧化物构成；栅极绝缘膜，其形成在上述栅电极与上述活性层之间；以及源电极和漏电极，其与上述活性层电连接。在构成上述氧化物的铟、锌以及钛的总量中所占的各元素的原子比是，铟为24原子％以上且80原子％以下，锌为16原子％以上且70原子％以下，钛为0.1原子％以上且20原子％以下。
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公开(公告)号：CN114008237B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202080044257.0
申请日：2020-04-27
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/01 , H01L21/363
摘要： 本发明提供了一种代替IGZO的高特性的氧化物半导体薄膜制造用的溅射靶及其制造方法。为了达成上述目的，本发明的一个方式的溅射靶由包含铟、锡以及锗的氧化物烧结体构成，锗相对于铟、锡及锗的总和的原子比为0.07以上且0.40以下，锡相对于铟、锡及锗的总和的原子比为0.04以上且0.60以下。由此，能够得到具有10cm2/Vs以上的迁移率的晶体管特性。
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公开(公告)号：CN113544308A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202080016713.0
申请日：2020-04-27
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/01 , H01L21/363
摘要： 本发明实施例涉及抑制遮挡部件脱落。在溅射靶中，靶主体具有包围筒状衬管的外周面的圆筒状的多个圆筒状的靶部件，多个靶部件的分别以在衬管的中心轴方向上分离的方式排列设置，通过在中心轴方向排列多个靶部件而在相邻的靶部件之间形成的间隙环绕衬管的中心轴周围，在上述衬管侧形成有与间隙连通的凹部。接合材料设置在衬管与上述靶主体之间，将多个靶部件分别与衬管接合。遮挡部件配置在接合材料与靶主体之间，被容纳在凹部，从上述接合材料侧遮挡间隙。
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公开(公告)号：CN113508187A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202080016634.X
申请日：2020-04-27
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/01 , H01L21/363
摘要： 本发明提供一种即使是长的圆筒型，也能够抑制微粒、异常放电的溅射靶。在本发明的溅射靶中，靶主体包括沿着筒状衬管的外周面排列设置且具有圆弧状剖面的多个靶构件。多个靶构件以彼此分开的方式围绕衬管的中心轴配置。围绕中心轴排列的靶构件间形成的间隙在衬管的中心轴方向延伸。接合材料设置在衬管与靶主体之间，将衬管和多个靶构件中的每一个接合。遮挡构件设置在接合材料与靶主体之间，从接合材料侧遮挡间隙。
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公开(公告)号：CN108352410B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201680063644.2
申请日：2016-11-22
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/203 , H01L21/336
摘要： 本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管，其具有：栅电极；活性层，其由含有铟、锌以及钛的氧化物构成；栅极绝缘膜，其形成在上述栅电极与上述活性层之间；以及源电极和漏电极，其与上述活性层电连接。在构成上述氧化物的铟、锌以及钛的总量中所占的各元素的原子比是，铟为24原子％以上且80原子％以下，锌为16原子％以上且70原子％以下，钛为0.1原子％以上且20原子％以下。
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