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公开(公告)号：CN105719958B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201510938929.3
申请日：2015-12-16
申请人： 威科仪器有限公司
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/67
摘要： 本发明公开了具有超短停留时间的激光退火系统及方法。该方法包括利用预加热线图像来局部地预加热半导体晶片，然后相对于预加热线图像快速地扫描退火图像以定义具有停留时间在10ns到500ns范围内的扫描重叠区域。这些超短停留时间对于执行产品晶片的表面熔化退火或者次表面熔化退火是有用的，因为它们防止设备结构回流。
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公开(公告)号：CN110079789A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201811626515.7
申请日：2009-12-03
申请人： 威科仪器有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458
摘要： 用于化学气相沉积反应器(10)的进气口元件由多个长形的管状元件(64，65)构成，该多个长形的管状元件相互肩并肩地设置在一个垂直于反应器上下游方向的平面上。所述管状元件具有用于沿下游方向排放气体的进气口。晶片载体(14)绕着上游至下游的轴旋转。气体分布元件可以提供这样的气体分布模式：气体分布关于延伸穿过所述轴的中间平面(108)为非对称。
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公开(公告)号：CN108140543A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680055447.6
申请日：2016-08-16
申请人： 威科仪器有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/205
CPC分类号： G06F17/5009 , C23C16/4584 , C23C16/52 , G06F2217/80
摘要： 可基于根据化学气相沉积CVD系统的物理特性和操作特性建构的计算热模型来改进用于CVD系统的晶片载具的热均匀性。模拟在其中模型化待在所述CVD系统上实行的工艺配方的所述热模型的操作，包含在虚拟CVD系统中发生的热传递，以产生虚拟晶片载具的至少一个所关注区域中的一组热空间不均匀性。基于所述组热空间不均匀性和定义用于校正凹穴底面以达成遍及所述至少一个所关注区域的热均匀性增加的至少一个设计规则的预定义热凹穴底面关系来确定待对至少一个晶片保持凹穴中的每一个的所述凹穴底面作出的结构校正。
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公开(公告)号：CN104769155B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201380041627.5
申请日：2013-08-05
发明人： 阿尔诺·普兰肯施泰纳 , 克里斯蒂安·法伊斯特 , 瓦迪姆·博古斯拉夫斯基 , 亚历山大·I·古拉里 , 张正宏
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/46 , H01L21/67
CPC分类号： H05B1/00 , C23C16/4585 , C23C16/46 , H01L21/67115
摘要： 本发明涉及用于机械支撑加热部件(100)的终端(10)，所述终端包括：底座部件(30)；安装部件(20)，所述安装部件(20)适用于支撑所述加热部件(100)；以及支撑部件(40)，其将所述底座部件(30)连接至所述安装部件(20)，所述支撑部件(40)允许所述加热部件(100)沿着径向轴线的位移和小于所述加热部件(100)的所述沿着径向轴线的位移的约10％的沿着切向轴线和/或轴向轴线的位移。
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公开(公告)号：CN106796200A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580043479.X
申请日：2015-08-10
申请人： 威科仪器有限公司
IPC分类号： G01N29/024 , G01N29/22 , G01N29/44
摘要： 一种质量传递率控制布置以及方法，其中产生含有载气与处理前驱物气体的处理前驱物混和物。声学地感测所述处理前驱物混和物中存在的处理前驱物的量，以产生传感器输出。提供稀释气体，且所述处理前驱物混和物以及所述稀释气体单独地被输送到实现所述稀释气体与所述处理前驱物混合物的稀释混和物的稀释点。响应于所述传感器输出自动控制所述载气与所述稀释气体的相对流率，使得所述稀释点处的所述稀释混和物具有所述前驱物气体的所规定质量传递率。
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公开(公告)号：CN102144280B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN200980134785.9
申请日：2009-08-28
申请人： 威科仪器有限公司
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/673 , H01L21/683 , H01L21/687
CPC分类号： H01L21/68735 , C23C16/4583 , C23C16/4584 , C23C16/46 , H01L21/67103 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： 在化学气相沉积装置中，晶片载体(32)具有保持晶片的顶表面(34)以及被来自的加热元件(28)辐射热传递加热的底表面(36)。由于例如凹部(54)等特征，晶片载体的底表面(36)为非平面，因此晶片载体在不同位置处具有不同的厚度。晶片载体的较厚部分具有较高的热阻。不同位置处的不同热阻抵消对于晶片的热传递的不期望的非均匀性。晶片载体可具有凹槽，该凹槽具有凸起(553，853)，以用于接合晶片边缘上的间隔位置。
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公开(公告)号：CN104769155A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201380041627.5
申请日：2013-08-05
发明人： 阿尔诺·普兰肯施泰纳 , 克里斯蒂安·法伊斯特 , 瓦迪姆·博古斯拉夫斯基 , 亚历山大·I·古拉里 , 张正宏
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/46 , H01L21/67
CPC分类号： H05B1/00 , C23C16/4585 , C23C16/46 , H01L21/67115
摘要： 本发明涉及用于机械支撑加热部件(100)的终端(10)，所述终端包括：底座部件(30)；安装部件(20)，所述安装部件(20)适用于支撑所述加热部件(100)；以及支撑部件(40)，其将所述底座部件(30)连接至所述安装部件(20)，所述支撑部件(40)允许所述加热部件(100)沿着径向轴线的位移和小于所述加热部件(100)的所述沿着径向轴线的位移的约10％的沿着切向轴线和/或轴向轴线的位移。
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公开(公告)号：CN104662197A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201380041878.3
申请日：2013-08-05
发明人： 汉斯-彼得·马丁斯 , 曼弗莱德·苏利克 , 瓦迪姆·博古斯拉夫斯基
摘要： 本发明涉及一种含有加热体(20)的加热组件(10)，该加热体(20)至少部分地直接被多孔烧结涂层(30)覆盖，其中该加热体(20)及该多孔烧结涂层(30)各自包含至少90重量％的钨。
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公开(公告)号：CN102859679B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201180020892.6
申请日：2011-03-01
申请人： 威科仪器有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/205 , C23C16/458
CPC分类号： H01L21/68764 , C23C16/303 , C23C16/45563 , C23C16/45587 , C23C16/4584 , C23C16/4585 , H01L21/68735 , H01L21/68771
摘要： 一种晶片载体(140)，包括主体，主体限定中心轴(142)、垂直于中心轴(142)且基本为平面的顶面(141)，低于顶面(141)凹陷以容纳晶片(50)的容纳部(143)。晶片载体(140)的主体可包括沿顶面(141)外周向上突出的唇部(180)。唇部(180)可限定从平顶面(141)向外，远离中心轴(142)以径向向外的方向倾斜的唇表面(181)。晶片载体(140)的主体可适于安装在处理装置(10)的转轴(30)上，使得主体的中心轴(142)与转轴(30)同轴。唇部(180)可改善晶片载体(140)的顶面(141)上方气体的流动模式。
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