公开(公告)号：CN116438335A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202280007004.5

申请日：2022-01-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 布赖恩•海斯•伯罗斯 ,  阿拉•莫拉迪亚 ,  朱作明 ,  秦嘉政

IPC: C30B29/36

Abstract: 提供一种用于提供在处理腔室内设置的基板的均匀加热的方法及设备。设备包括在处理腔室中设置的一或多个加热线圈。一或多个加热线圈使用加热器杆电气耦接到功率源。加热器杆耦接到与到加热线圈的连接相对的远端上的插座。插座包括穿通及经配置为从围绕加热器杆的区域移除污染物(诸如甲烷)的冷却板。

公开(公告)号：CN116057216A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202180057439.6

申请日：2021-11-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吴贞莹 ,  黃奕樵 ,  叶祉渊 ,  舒伯特•S•楚 ,  埃罗尔•安东尼奥•C•桑切斯 ,  布赖恩•海斯•伯罗斯

IPC: C30B33/02

Abstract: 本公开内容的各方面涉及将原子氢自由基与外延沉积一起使用的设备、系统和方法。在一个方面中，从基板的外延层中去除结节状缺陷(例如结节)。在一个实施方案中，一种处理基板的方法包括：在基板的一个或多个晶体表面上选择性地生长外延层。外延层包括硅。该方法亦包括：蚀刻基板以从基板的一个或多个非晶体表面去除多个结节。蚀刻步骤包括：将基板暴露于原子氢自由基。该方法亦包括：对外延层热退火至600摄氏度或更高的退火温度。