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公开(公告)号：CN116487254A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310508011.X
申请日：2017-01-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 大卫·纳普 , 西蒙·黄 , 杰弗里·W·安西斯 , 菲利普·艾伦·克劳斯 , 大卫·汤普森
IPC: H01L21/033 , H01L21/311
Abstract: 各个实施方式包括处理硬掩模的方法，所述方法包括形成掺混碳硬掩模，所述掺混碳硬掩模覆于下层上方。在一实施方式中，所述掺混碳硬掩模以金属碳填充物掺混。所述实施方式进一步包括图案化所述掺混碳硬掩模并且将所述掺混碳硬掩模的图案转移到所述下层中。根据一实施方式，所述方法可进一步包括：从所述掺混碳硬掩模移除所述金属碳填充物的金属成分，以形成多孔碳硬掩模。之后，可移除所述多孔碳硬掩模。在一实施方式中，移除所述金属碳填充物的金属成分可包括：使处理气体流进腔室，以使所述金属碳填充物的金属成分挥发。
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公开(公告)号：CN109844906B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201780060395.6
申请日：2017-01-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 大卫·纳普 , 西蒙·黄 , 杰弗里·W·安西斯 , 菲利普·艾伦·克劳斯 , 大卫·汤普森
IPC: H01L21/033 , H01L21/311 , H01L21/02 , H01L21/768
Abstract: 各个实施方式包括处理硬掩模的方法，所述方法包括形成掺混碳硬掩模，所述掺混碳硬掩模覆于下层上方。在一实施方式中，所述掺混碳硬掩模以金属碳填充物掺混。所述实施方式进一步包括图案化所述掺混碳硬掩模并且将所述掺混碳硬掩模的图案转移到所述下层中。根据一实施方式，所述方法可进一步包括：从所述掺混碳硬掩模移除所述金属碳填充物的金属成分，以形成多孔碳硬掩模。之后，可移除所述多孔碳硬掩模。在一实施方式中，移除所述金属碳填充物的金属成分可包括：使处理气体流进腔室，以使所述金属碳填充物的金属成分挥发。
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公开(公告)号：CN111356785A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201880074102.4
申请日：2018-11-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 马克·沙丽 , 大卫·汤普森 , 夏立群
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/02 , C23C16/52
Abstract: 描述了用于在金属表面上沉积金属氧化物层的方法。所述方法包括将基板暴露于分开剂量的金属前驱物和醇，所述金属前驱物不含有金属-氧键。这些方法不会氧化下面的金属层。
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公开(公告)号：CN110892507A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201880046778.2
申请日：2018-07-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 拉克马尔·C·卡拉塔拉格 , 马克·沙丽 , 托马斯·奈斯利 , 本杰明·施密格 , 大卫·汤普森
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 兹描述用于经由原子层沉积工艺来沉积含钇膜的方法。本公开内容的某些实施方式利用等离子体增强的原子层沉积工艺。亦描述用于执行含钇膜的原子层沉积的设备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110832625A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201880043565.4
申请日：2018-05-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3213 , H01L21/311 , H01L21/3065
Abstract: 一种选择性蚀刻包括多种金属氧化物的基板表面的工艺包括：将该基板表面暴露于卤化剂，且然后将该基板表面暴露于配位基转移剂。所述多种金属氧化物中的金属的蚀刻速率实质上一致。
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公开(公告)号：CN116949421A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310837902.X
申请日：2018-07-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 拉克马尔·C·卡拉塔拉格 , 马克·沙丽 , 托马斯·奈斯利 , 本杰明·施密格 , 大卫·汤普森
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/54 , C23C16/56
Abstract: 兹描述用于经由原子层沉积工艺来沉积含钇膜的方法。本公开内容的某些实施方式利用等离子体增强的原子层沉积工艺。亦描述用于执行含钇膜的原子层沉积的设备。
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公开(公告)号：CN111108232A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201880060933.6
申请日：2018-09-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 马克·沙丽 , 大卫·汤普森 , 拉克马尔·C·卡拉塔拉格 , 拉纳·霍华德
IPC: C23C16/04 , H01L21/02 , H01L21/768 , C23C16/455 , C23C16/30
Abstract: 描述了将膜选择性沉积到相对于第二基板表面的第一基板表面上的方法。所述方法包括将基板暴露于阻挡分子以在所述第一表面上选择性沉积阻挡层。将所述阻挡层暴露于聚合物引发剂以形成网络状阻挡层。在所述第二表面上选择性形成层。所述阻挡层抑制在所述第一表面上的沉积。然后，可以任选地去除所述网络状层。
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公开(公告)号：CN110832625B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201880043565.4
申请日：2018-05-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3213 , H01L21/311 , H01L21/3065
Abstract: 一种选择性蚀刻包括多种金属氧化物的基板表面的工艺包括：将该基板表面暴露于卤化剂，且然后将该基板表面暴露于配位基转移剂。所述多种金属氧化物中的金属的蚀刻速率实质上一致。
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