公开(公告)号：CN110622283B

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN201880028707.X

申请日：2018-11-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 蹇国强 ,  汤炜 ,  林志周 ,  马伯方 ,  吴凯 ,  维卡什·班提亚 ,  张媚 ,  叶佳 ,  张闻宇 ,  周静

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  H01L21/762

Abstract: 本文公开了用于减少和消除钨膜中的缺陷的方法和设备。在本公开内容中，公开了减少或消除设置在基板上和多个沟槽内的具有预定第一厚度的钨膜的第一表面的氧化的步骤。多个沟槽包括预定深度及小于20纳米的宽度。当第一表面与空气或氧气接触时，钨膜的预定第一厚度在整个多个沟槽中基本均匀，从而钨膜的预定第一厚度基本上不变为第二厚度。

公开(公告)号：CN110709534A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201880018717.5

申请日：2018-03-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 张闻宇 ,  唐薇 ,  杨逸雄 ,  林政汉 ,  徐翼 ,  雷雨 ,  吉田尚美 ,  董琳 ,  德鲁·菲利普斯 ,  斯里维迪亚·纳塔拉詹 ,  阿塔什·巴苏 ,  卡利亚潘·穆图库马尔 ,  大卫·汤普森 ,  马伯方

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/14 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56

Abstract: 沉积具有受控制量的碳的氮化铝钛膜的方法。所述方法包括将基板表面暴露于钛前驱物、氮反应物和铝前驱物，其中在每次暴露之间进行净化。

公开(公告)号：CN110622283A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201880028707.X

申请日：2018-11-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 蹇国强 ,  汤炜 ,  林志周 ,  马伯方 ,  吴凯 ,  维卡什·班提亚 ,  张媚 ,  叶佳 ,  张闻宇 ,  周静

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  H01L21/762

Abstract: 本文公开了用于减少和消除钨膜中的缺陷的方法和设备。在本公开内容中，公开了减少或消除设置在基板上和多个沟槽内的具有预定第一厚度的钨膜的第一表面的氧化的步骤。多个沟槽包括预定深度及小于20纳米的宽度。当第一表面与空气或氧气接触时，钨膜的预定第一厚度在整个多个沟槽中基本均匀，从而钨膜的预定第一厚度基本上不变为第二厚度。

公开(公告)号：CN110709534B

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN201880018717.5

申请日：2018-03-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 张闻宇 ,  唐薇 ,  杨逸雄 ,  林政汉 ,  徐翼 ,  雷雨 ,  吉田尚美 ,  董琳 ,  德鲁·菲利普斯 ,  斯里维迪亚·纳塔拉詹 ,  阿塔什·巴苏 ,  卡利亚潘·穆图库马尔 ,  大卫·汤普森 ,  马伯方

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/14 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56

Abstract: 沉积具有受控制量的碳的氮化铝钛膜的方法。所述方法包括将基板表面暴露于钛前驱物、氮反应物和铝前驱物，其中在每次暴露之间进行净化。

公开(公告)号：CN112385018A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201980028945.5

申请日：2019-05-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 张闻宇 ,  杨逸雄 ,  马里奥·D·桑切斯 ,  蹇国强 ,  唐薇 ,  伯·F·马

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 处理方法包括以蚀刻剂蚀刻金属氮化物层。蚀刻剂可例如为WCl5、WOCl4或TaCl5。也公开了改善蚀刻工艺选择性的方法。

公开(公告)号：CN110870048A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201880027819.3

申请日：2018-08-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨逸雄 ,  马伯方 ,  唐薇 ,  张闻宇 ,  陈世忠 ,  林政汉 ,  林志周 ,  徐翼 ,  雷雨 ,  吉田尚美 ,  林东 ,  西达斯·克里希南

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/324 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 用于形成半导体结构的设备与方法，包括：于高k介电层顶上沉积掺杂堆叠，所述掺杂堆叠具有第一表面，其中所述掺杂堆叠包括至少一个第一金属层、至少一个第二金属层、和至少一个第三金属层，所述第一金属层具有第一表面，所述第二金属层包括第一铝掺杂剂和第一表面，所述第三金属层位于所述第二金属层的所述第一表面顶上，其中所述第二金属层位于所述第一金属层的所述第一表面顶上；在所述掺杂堆叠的所述第一表面顶上沉积退火层；将所述结构退火，而使至少所述第一铝掺杂剂扩散进入所述高k介电层中；移除所述退火层；和在所述掺杂堆叠的所述第一表面顶上沉积至少一个功函数层。

公开(公告)号：CN112385018B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN201980028945.5

申请日：2019-05-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 张闻宇 ,  杨逸雄 ,  马里奥·D·桑切斯 ,  蹇国强 ,  唐薇 ,  伯·F·马

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 处理方法包括以蚀刻剂蚀刻金属氮化物层。蚀刻剂可例如为WCl5、WOCl4或TaCl5。也公开了改善蚀刻工艺选择性的方法。

公开(公告)号：CN110870048B

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN201880027819.3

申请日：2018-08-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨逸雄 ,  马伯方 ,  唐薇 ,  张闻宇 ,  陈世忠 ,  林政汉 ,  林志周 ,  徐翼 ,  雷雨 ,  吉田尚美 ,  林东 ,  西达斯·克里希南

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/324 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 用于形成半导体结构的设备与方法，包括：于高k介电层顶上沉积掺杂堆叠，所述掺杂堆叠具有第一表面，其中所述掺杂堆叠包括至少一个第一金属层、至少一个第二金属层、和至少一个第三金属层，所述第一金属层具有第一表面，所述第二金属层包括第一铝掺杂剂和第一表面，所述第三金属层位于所述第二金属层的所述第一表面顶上，其中所述第二金属层位于所述第一金属层的所述第一表面顶上；在所述掺杂堆叠的所述第一表面顶上沉积退火层；将所述结构退火，而使至少所述第一铝掺杂剂扩散进入所述高k介电层中；移除所述退火层；和在所述掺杂堆叠的

公开(公告)号：CN112567498A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN201980053966.2

申请日：2019-08-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 柯常 ,  张闻宇 ,  吴立其

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  C23C16/04 ,  C23C16/02 ,  B05D1/00 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了用于在具有金属表面和介电质表面的基板顶上选择性沉积层的方法和设备，包括：(a)使该金属表面接触一或多种金属卤化物、诸如金属氯化物或金属氟化物，以形成暴露的金属表面；(b)在该介电质表面顶上生长基于有机硅烷的自组装单层；及(c)在该基板的该暴露的金属表面顶上选择性地沉积层，其中该基于有机硅烷的自组装单层抑制该层在该介电质表面顶上的沉积。