公开(公告)号：CN110998791A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201880051523.5

申请日：2018-07-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 徐翼 ,  仓见隆 ,  艾弗里·V·劳格特 ,  维卡什·班提亚 ,  张媚 ,  大藤和也

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/56 ,  H01L21/324

Abstract: 一种用于在半导体处理腔室中于基板上形成膜的方法，包括使用等离子体增强工艺以及氯基气体、氢气、和惰性气体的气体混合物在基板上形成第一层。之后净化所述处理腔室，且以氢基前驱气体热浸泡所述第一层。之后再次净化所述处理腔室，且可用所述等离子体增强工艺或不用所述等离子体增强工艺重复上述处理，直到在基板上达到一定的膜厚度为止。

公开(公告)号：CN110998791B

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN201880051523.5

申请日：2018-07-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 徐翼 ,  仓见隆 ,  艾弗里·V·劳格特 ,  维卡什·班提亚 ,  张媚 ,  大藤和也

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/56 ,  H01L21/324

Abstract: 一种用于在半导体处理腔室中于基板上形成膜的方法，包括使用等离子体增强工艺以及氯基气体、氢气、和惰性气体的气体混合物在基板上形成第一层。之后净化所述处理腔室，且以氢基前驱气体热浸泡所述第一层。之后再次净化所述处理腔室，且可用所述等离子体增强工艺或不用所述等离子体增强工艺重复上述处理，直到在基板上达到一定的膜厚度为止。

公开(公告)号：CN110622283B

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN201880028707.X

申请日：2018-11-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 蹇国强 ,  汤炜 ,  林志周 ,  马伯方 ,  吴凯 ,  维卡什·班提亚 ,  张媚 ,  叶佳 ,  张闻宇 ,  周静

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  H01L21/762

Abstract: 本文公开了用于减少和消除钨膜中的缺陷的方法和设备。在本公开内容中，公开了减少或消除设置在基板上和多个沟槽内的具有预定第一厚度的钨膜的第一表面的氧化的步骤。多个沟槽包括预定深度及小于20纳米的宽度。当第一表面与空气或氧气接触时，钨膜的预定第一厚度在整个多个沟槽中基本均匀，从而钨膜的预定第一厚度基本上不变为第二厚度。

公开(公告)号：CN110622283A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201880028707.X

申请日：2018-11-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 蹇国强 ,  汤炜 ,  林志周 ,  马伯方 ,  吴凯 ,  维卡什·班提亚 ,  张媚 ,  叶佳 ,  张闻宇 ,  周静

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  H01L21/762

Abstract: 本文公开了用于减少和消除钨膜中的缺陷的方法和设备。在本公开内容中，公开了减少或消除设置在基板上和多个沟槽内的具有预定第一厚度的钨膜的第一表面的氧化的步骤。多个沟槽包括预定深度及小于20纳米的宽度。当第一表面与空气或氧气接触时，钨膜的预定第一厚度在整个多个沟槽中基本均匀，从而钨膜的预定第一厚度基本上不变为第二厚度。