公开(公告)号：CN110998791A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201880051523.5

申请日：2018-07-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 徐翼 ,  仓见隆 ,  艾弗里·V·劳格特 ,  维卡什·班提亚 ,  张媚 ,  大藤和也

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/56 ,  H01L21/324

Abstract: 一种用于在半导体处理腔室中于基板上形成膜的方法，包括使用等离子体增强工艺以及氯基气体、氢气、和惰性气体的气体混合物在基板上形成第一层。之后净化所述处理腔室，且以氢基前驱气体热浸泡所述第一层。之后再次净化所述处理腔室，且可用所述等离子体增强工艺或不用所述等离子体增强工艺重复上述处理，直到在基板上达到一定的膜厚度为止。

公开(公告)号：CN110998791B

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN201880051523.5

申请日：2018-07-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 徐翼 ,  仓见隆 ,  艾弗里·V·劳格特 ,  维卡什·班提亚 ,  张媚 ,  大藤和也

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/56 ,  H01L21/324

Abstract: 一种用于在半导体处理腔室中于基板上形成膜的方法，包括使用等离子体增强工艺以及氯基气体、氢气、和惰性气体的气体混合物在基板上形成第一层。之后净化所述处理腔室，且以氢基前驱气体热浸泡所述第一层。之后再次净化所述处理腔室，且可用所述等离子体增强工艺或不用所述等离子体增强工艺重复上述处理，直到在基板上达到一定的膜厚度为止。