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公开(公告)号：CN113678231A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202080027926.3
申请日：2020-03-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 岑羲 , 马飞越 , 吴凯 , 雷雨 , 大东和也 , 徐翼 , 维卡什·班西埃 , 张镁 , 任河 , 雷蒙德·霍曼·洪 , 姚雅宽 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 戴维·T·奥 , 周静 , 蹇国强 , 林志周 , 赖一鸣 , 叶佳 , 王振宇
IPC: H01L21/285 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/02 , H01L21/28 , H01L21/306 , H01L21/67 , C23C14/04
Abstract: 本公开内容一般涉及用于处理基板的方法，且更尤其涉及用于形成金属间隙填充物的方法。在一个实施方式中，该方法包括使用多步骤处理在开口中形成金属间隙填充物。多步骤处理包括：形成金属间隙填充物的第一部分，实行溅射处理以在一个或多个侧壁上形成一个或多个层，和使金属间隙填充物的第二部分生长以用金属间隙填充物来填充开口。通过多步骤处理形成的金属间隙填充物是无缝的，且形成在一个或多个侧壁上的一个或多个层密封在金属间隙填充物与侧壁之间的任何间隙或缺陷。由此，在后续处理中利用的流体不会扩散穿过金属间隙填充物。
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公开(公告)号：CN110622283B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN201880028707.X
申请日：2018-11-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/02 , H01L21/762
Abstract: 本文公开了用于减少和消除钨膜中的缺陷的方法和设备。在本公开内容中，公开了减少或消除设置在基板上和多个沟槽内的具有预定第一厚度的钨膜的第一表面的氧化的步骤。多个沟槽包括预定深度及小于20纳米的宽度。当第一表面与空气或氧气接触时，钨膜的预定第一厚度在整个多个沟槽中基本均匀，从而钨膜的预定第一厚度基本上不变为第二厚度。
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公开(公告)号：CN110622283A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880028707.X
申请日：2018-11-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/02 , H01L21/762
Abstract: 本文公开了用于减少和消除钨膜中的缺陷的方法和设备。在本公开内容中，公开了减少或消除设置在基板上和多个沟槽内的具有预定第一厚度的钨膜的第一表面的氧化的步骤。多个沟槽包括预定深度及小于20纳米的宽度。当第一表面与空气或氧气接触时，钨膜的预定第一厚度在整个多个沟槽中基本均匀，从而钨膜的预定第一厚度基本上不变为第二厚度。
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公开(公告)号：CN113678231B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202080027926.3
申请日：2020-03-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 岑羲 , 马飞越 , 吴凯 , 雷雨 , 大东和也 , 徐翼 , 维卡什·班西埃 , 张镁 , 任河 , 雷蒙德·霍曼·洪 , 姚雅宽 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 戴维·T·奥 , 周静 , 蹇国强 , 林志周 , 赖一鸣 , 叶佳 , 王振宇
IPC: H01L21/285 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/02 , H01L21/28 , H01L21/306 , H01L21/67 , C23C14/04
Abstract: 本公开内容一般涉及用于处理基板的方法，且更尤其涉及用于形成金属间隙填充物的方法。在一个实施方式中，该方法包括使用多步骤处理在开口中形成金属间隙填充物。多步骤处理包括：形成金属间隙填充物的第一部分，实行溅射处理以在一个或多个侧壁上形成一个或多个层，和使金属间隙填充物的第二部分生长以用金属间隙填充物来填充开口。通过多步骤处理形成的金属间隙填充物是无缝的，且形成在一个或多个侧壁上的一个或多个层密封在金属间隙填充物与侧壁之间的任何间隙或缺陷。由此，在后续处理中利用的流体不会扩散穿过金属间隙填充物。
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