公开(公告)号：CN112567498A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN201980053966.2

申请日：2019-08-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 柯常 ,  张闻宇 ,  吴立其

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  C23C16/04 ,  C23C16/02 ,  B05D1/00 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了用于在具有金属表面和介电质表面的基板顶上选择性沉积层的方法和设备，包括：(a)使该金属表面接触一或多种金属卤化物、诸如金属氯化物或金属氟化物，以形成暴露的金属表面；(b)在该介电质表面顶上生长基于有机硅烷的自组装单层；及(c)在该基板的该暴露的金属表面顶上选择性地沉积层，其中该基于有机硅烷的自组装单层抑制该层在该介电质表面顶上的沉积。

公开(公告)号：CN110622284B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN201880028187.2

申请日：2018-09-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杰弗里·W·安西斯 ,  柯常 ,  普拉瑟姆·杰恩 ,  本杰明·施密格 ,  蹇国强 ,  迈克尔·S·杰克逊 ,  周磊 ,  伯·F·马 ,  吴立其

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明描述了一种将膜选择地沉积在相对于第二基板表面的第一基板表面上的方法。该方法包括：使基板暴露于阻隔分子，以于该第一表面上选择性沉积阻隔层。于该第二表面上选择性形成层并于该阻隔层上形成该层的缺陷。从该第一表面上的该阻隔层去除该缺陷。

公开(公告)号：CN110622284A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201880028187.2

申请日：2018-09-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杰弗里·W·安西斯 ,  柯常 ,  普拉瑟姆·杰恩 ,  本杰明·施密格 ,  蹇国强 ,  迈克尔·S·杰克逊 ,  周磊 ,  伯·F·马 ,  吴立其

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明描述了一种将膜选择地沉积在相对于第二基板表面的第一基板表面上的方法。该方法包括：使基板暴露于阻隔分子，以于该第一表面上选择性沉积阻隔层。于该第二表面上选择性形成层并于该阻隔层上形成该层的缺陷。从该第一表面上的该阻隔层去除该缺陷。