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公开(公告)号：CN105023856A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510133606.7
申请日：2015-03-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/66
CPC classification number: C23C16/45534 , C23C16/045 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/3065
Abstract: 本文公开的实施例一般地涉及基板处理，及更具体地涉及使用沉积蚀刻循环精确控制薄膜厚度的方法。具体地，本公开案的实施例可用于在充填高深宽比特征结构期间控制薄膜厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110226214A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201880008386.7
申请日：2018-01-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 处理平台具有带机器人的中央传送站和具有大于或等于约0.1重量％水蒸气的环境，连接到传送站的一侧面的预清洁腔室和连接到传送站的一侧面的批量处理腔室。处理平台经构造以预清洁基板，以从第一表面移除原生氧化物，使用烷基硅烷形成阻挡层并选择性地沉积膜。亦描述了使用处理平台和处理多个晶片的方法。
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公开(公告)号：CN110226214B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201880008386.7
申请日：2018-01-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 处理平台具有带机器人的中央传送站和具有大于或等于约0.1重量％水蒸气的环境，连接到传送站的一侧面的预清洁腔室和连接到传送站的一侧面的批量处理腔室。处理平台经构造以预清洁基板，以从第一表面移除原生氧化物，使用烷基硅烷形成阻挡层并选择性地沉积膜。亦描述了使用处理平台和处理多个晶片的方法。
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公开(公告)号：CN110178201B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201880006781.1
申请日：2018-01-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/3065
Abstract: 用于形成氮化硅膜的处理方法包含以下步骤：在低于或等于约250℃的温度下将金属表面暴露于硅前驱物、含氮反应物及含氢等离子体，以形成具有低蚀刻率的氮化硅膜，而不会损坏所述金属表面。
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公开(公告)号：CN110178201A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201880006781.1
申请日：2018-01-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/3065
Abstract: 用于形成氮化硅膜的处理方法包含以下步骤：在低于或等于约250℃的温度下将金属表面暴露于硅前驱物、含氮反应物及含氢等离子体，以形成具有低蚀刻率的氮化硅膜，而不会损坏所述金属表面。
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公开(公告)号：CN105023856B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201510133606.7
申请日：2015-03-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/66
CPC classification number: C23C16/45534 , C23C16/045 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/3065
Abstract: 本文公开的实施例一般地涉及基板处理，及更具体地涉及使用沉积蚀刻循环精确控制薄膜厚度的方法。具体地，本公开案的实施例可用于在充填高深宽比特征结构期间控制薄膜厚度。
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