公开(公告)号：CN101496145B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200780017771.X

申请日：2007-06-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·巴尔塞努 ,  V·恩古耶 ,  夏立群 ,  D·R·威蒂 ,  H·M'塞德 ,  石美仪 ,  I·罗弗劳克斯

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3105 ,  C23C16/345 ,  C23C16/56 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/7843

Abstract: 可藉由在较高的温度下沉积而提高氮化硅层的应力。采用一种能使基板实际加热至高于400℃的设备(例如，一种陶制而非铝制的加热器)，则初镀的氮化硅膜可展现出增强的应力，使位于其下的MOS晶体管器件的性能得以提升。根据其它实施例，氮化硅沉积膜在高温下暴露于紫外光(UV)下以进行硬化，从而有助于自膜中移除氢并增进膜应力。根据另外的实施例，氮化硅膜利用一种采用多个沉积/硬化循环的集成处理形成，以维护下方凸起特征尖角处的膜层的完整。而相继膜层之间的附着力，则可藉由在每一循环中纳入紫外光硬化后的等离子体处理而获得提升。

公开(公告)号：CN104900513A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510098387.3

申请日：2015-03-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： V·恩古耶 ,  M·巴尔塞努 ,  N·李 ,  S·D·马库斯 ,  M·沙立 ,  D·汤普森 ,  L-Q·夏

IPC: H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/24 ,  C23C16/30 ,  C23C16/345 ,  C23C16/347 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/458 ,  C23C16/50

Abstract: 本文中揭露的实施方式大体上涉及衬底的处理，且更具体而言，涉及用于形成电介质膜的方法。在一实施方式中，所述方法包括：将多个衬底放置在处理腔室内部，且执行以下序列：将所述衬底暴露于包含硅的第一反应性气体，且然后将所述衬底暴露于包含氮以及氧或碳中的至少一个的第二反应性气体的等离子体，以及重复所述序列以在所述衬底的每一个上形成包含碳氮化硅或碳氮氧化硅的所述电介质膜。

公开(公告)号：CN102906859A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180024727.8

申请日：2011-05-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： V·恩古耶 ,  Y·陈 ,  M·巴尔塞努 ,  I·罗弗劳克斯 ,  夏立群 ,  D·R·威蒂

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/30 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32139

Abstract: 提供用于以富含硼的膜处理基板的方法。将富含硼的材料的经图案化层沉积在基板上，且所述富含硼的材料的经图案化层可用来作为蚀刻终止物。通过改变化学成分，可针对不同的蚀刻化学物质来最优化富含硼的材料的选择性及蚀刻速率。可将富含硼的材料以多层沉积在层堆叠基板上，并以一图案进行蚀刻。可接着以多重蚀刻化学物质蚀刻暴露的层堆叠。各个富含硼的层可具有对于多重蚀刻化学物质为最优化的不同化学成分。

公开(公告)号：CN102460679A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080027470.7

申请日：2010-06-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·巴尔塞努 ,  夏立群 ,  D·R·威蒂 ,  陈滢

IPC: H01L21/76

CPC classification number: C23C16/0272 ,  C23C16/342 ,  C23C16/4404 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76237

Abstract: 一种沉积含硼衬里层于基材上的方法，涉及双层的形成，该双层包括起始层，该起始层包括阻障物材料以抑制硼从该双层到下方基材内的扩散。

公开(公告)号：CN105023856B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201510133606.7

申请日：2015-03-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李宁 ,  闫文波 ,  V·恩古耶 ,  C·特林 ,  M·巴尔塞努 ,  夏立群

IPC: H01L21/66

CPC classification number: C23C16/45534 ,  C23C16/045 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3065

Abstract: 本文公开的实施例一般地涉及基板处理，及更具体地涉及使用沉积蚀刻循环精确控制薄膜厚度的方法。具体地，本公开案的实施例可用于在充填高深宽比特征结构期间控制薄膜厚度。

公开(公告)号：CN106030841A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201580010185.7

申请日：2015-02-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·帕卡拉 ,  M·巴尔塞努 ,  J·杰曼 ,  J·安 ,  L·薛

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/02

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01L27/222 ,  H01L43/08

Abstract: 公开了一种用于制造MRAM位的方法，所述方法包括沉积间隔层，所述间隔层用以在处理期间保护隧穿阻挡层。所沉积的间隔层防止在后续处理中形成的副产物再沉积在隧穿阻挡层上。这种再沉积会造成产品故障并降低制造产率。此方法进一步包括非侵蚀性的处理条件，防止对MRAM位的多层造成损伤。此非侵蚀性的处理条件可包括在不使用卤素类等离子体的情况下进行蚀刻。本文公开的实施例采用了简化处理的蚀刻‑沉积‑蚀刻顺序。

公开(公告)号：CN101743631B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN200880024500.1

申请日：2008-07-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J-U·许 ,  M·巴尔塞努 ,  夏立群 ,  D·威蒂 ,  H·M·塞德

IPC: H01L21/44

CPC classification number: C23C16/28 ,  C23C16/56 ,  H01L21/314 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

Abstract: 本发明揭示一种形成含硼膜的方法。该方法包含：将一含硼前体导入一腔室内，以及通过热分解工艺或等离子工艺沉积一包含硼-硼键结的网络于一基板上。该网络可以被后处理，以从该网络去除氢且增加最终含硼膜的应力。该含硼膜具有介于约-10Gpa与约10Gpa之间的应力，并且可以作为硼源层或诱导伸张层。

公开(公告)号：CN104900578A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510100266.8

申请日：2015-03-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： N·李 ,  V·恩古耶 ,  M·巴尔塞努 ,  L-Q·夏 ,  S·D·马库斯 ,  H·杨 ,  K·塔纳卡

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76224 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31116

Abstract: 本文中揭示的实施例一般是关于在高深宽比特征中形成电介质材料。在一个实施例中，揭示一种用于在一个处理腔室中充填高深宽比沟槽的方法。所述方法包括将基板置于处理腔室内部，在所述腔室中，基板具有一表面，所述表面具有数个高深宽比沟槽，及所述表面面向气体/等离子体分配组件。所述方法进一步包括执行以下序列：在基板表面上及数个沟槽中的每一个内侧沉积电介质材料层，在此情况下，电介质材料层位于每一沟槽底部及侧壁上；并去除安置在基板表面上的电介质材料层的一部分，在此情况下，每一沟槽的开口被扩大。重复进行所述序列，直至利用电介质材料无缝充填了沟槽为止。

公开(公告)号：CN103503120A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280021915.X

申请日：2012-04-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： W·叶 ,  V·恩古耶 ,  石美仪 ,  M·巴尔塞努 ,  夏立群 ,  D·R·威蒂

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02074 ,  H01L21/76883

Abstract: 在此提供一种用于从半导体晶片的含铜与介电质的结构移除氧化铜的方法。所述含铜与介电质的结构可通过化学机械平坦化处理（CMP）平坦化，并且通过所述方法处理所述结构而移除氧化铜与CMP残余物。在氢气（H2）与紫外线（UV）环境中的退火移除氧化铜，而脉冲式氨等离子体移除CMP残余物。

公开(公告)号：CN102959680A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180028979.8

申请日：2011-06-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： V·T·恩古耶 ,  夏立群 ,  M·巴尔塞努 ,  D·R·威蒂

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045

Abstract: 在沉积结晶锗层于基板上的方法中，基板放置在处理区中，所述处理区包含一对处理电极。在沉积阶段，将结晶锗层沉积在所述基板上是通过以下步骤：将包含含锗气体的沉积气体导入所述处理区，以及，藉由将能量耦合所述处理电极而形成所述沉积气体的电容式耦合等离子体。在后续处理阶段，通过将所述结晶锗层暴露到经激发的处理气体或通过退火所述层，而处理所述沉积的结晶锗层。