公开(公告)号：CN104900513A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510098387.3

申请日：2015-03-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： V·恩古耶 ,  M·巴尔塞努 ,  N·李 ,  S·D·马库斯 ,  M·沙立 ,  D·汤普森 ,  L-Q·夏

IPC: H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/24 ,  C23C16/30 ,  C23C16/345 ,  C23C16/347 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/458 ,  C23C16/50

Abstract: 本文中揭露的实施方式大体上涉及衬底的处理，且更具体而言，涉及用于形成电介质膜的方法。在一实施方式中，所述方法包括：将多个衬底放置在处理腔室内部，且执行以下序列：将所述衬底暴露于包含硅的第一反应性气体，且然后将所述衬底暴露于包含氮以及氧或碳中的至少一个的第二反应性气体的等离子体，以及重复所述序列以在所述衬底的每一个上形成包含碳氮化硅或碳氮氧化硅的所述电介质膜。