公开(公告)号：CN104900578A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510100266.8

申请日：2015-03-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： N·李 ,  V·恩古耶 ,  M·巴尔塞努 ,  L-Q·夏 ,  S·D·马库斯 ,  H·杨 ,  K·塔纳卡

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76224 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31116

Abstract: 本文中揭示的实施例一般是关于在高深宽比特征中形成电介质材料。在一个实施例中，揭示一种用于在一个处理腔室中充填高深宽比沟槽的方法。所述方法包括将基板置于处理腔室内部，在所述腔室中，基板具有一表面，所述表面具有数个高深宽比沟槽，及所述表面面向气体/等离子体分配组件。所述方法进一步包括执行以下序列：在基板表面上及数个沟槽中的每一个内侧沉积电介质材料层，在此情况下，电介质材料层位于每一沟槽底部及侧壁上；并去除安置在基板表面上的电介质材料层的一部分，在此情况下，每一沟槽的开口被扩大。重复进行所述序列，直至利用电介质材料无缝充填了沟槽为止。

公开(公告)号：CN104900513A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510098387.3

申请日：2015-03-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： V·恩古耶 ,  M·巴尔塞努 ,  N·李 ,  S·D·马库斯 ,  M·沙立 ,  D·汤普森 ,  L-Q·夏

IPC: H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/24 ,  C23C16/30 ,  C23C16/345 ,  C23C16/347 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/458 ,  C23C16/50

Abstract: 本文中揭露的实施方式大体上涉及衬底的处理，且更具体而言，涉及用于形成电介质膜的方法。在一实施方式中，所述方法包括：将多个衬底放置在处理腔室内部，且执行以下序列：将所述衬底暴露于包含硅的第一反应性气体，且然后将所述衬底暴露于包含氮以及氧或碳中的至少一个的第二反应性气体的等离子体，以及重复所述序列以在所述衬底的每一个上形成包含碳氮化硅或碳氮氧化硅的所述电介质膜。