公开(公告)号：CN104900578A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510100266.8

申请日：2015-03-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： N·李 ,  V·恩古耶 ,  M·巴尔塞努 ,  L-Q·夏 ,  S·D·马库斯 ,  H·杨 ,  K·塔纳卡

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76224 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31116

Abstract: 本文中揭示的实施例一般是关于在高深宽比特征中形成电介质材料。在一个实施例中，揭示一种用于在一个处理腔室中充填高深宽比沟槽的方法。所述方法包括将基板置于处理腔室内部，在所述腔室中，基板具有一表面，所述表面具有数个高深宽比沟槽，及所述表面面向气体/等离子体分配组件。所述方法进一步包括执行以下序列：在基板表面上及数个沟槽中的每一个内侧沉积电介质材料层，在此情况下，电介质材料层位于每一沟槽底部及侧壁上；并去除安置在基板表面上的电介质材料层的一部分，在此情况下，每一沟槽的开口被扩大。重复进行所述序列，直至利用电介质材料无缝充填了沟槽为止。