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公开(公告)号：CN103503120A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280021915.X
申请日：2012-04-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/02074 , H01L21/76883
Abstract: 在此提供一种用于从半导体晶片的含铜与介电质的结构移除氧化铜的方法。所述含铜与介电质的结构可通过化学机械平坦化处理（CMP）平坦化，并且通过所述方法处理所述结构而移除氧化铜与CMP残余物。在氢气（H2）与紫外线（UV）环境中的退火移除氧化铜，而脉冲式氨等离子体移除CMP残余物。
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