公开(公告)号：CN106356449A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610554216.1

申请日：2016-07-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 薛林 ,  安在洙 ,  M·帕卡拉 ,  程志康 ,  汪荣军

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01F10/14 ,  H01F10/3222 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 本申请公开了一种用于形成MRAM应用中使用的具有期望的结晶度的结构的方法。本公开的实施方式提供用于在基板上制造自旋转移扭矩磁阻式随机存取存储器(STT-MRAM)应用中使用的磁隧道结(MTJ)结构的方法和装置。在一个实施方式中，所述方法包括：将设置在基板上的具有隧穿阻挡层设置在磁基准层与磁存储层之间的膜堆叠体图案化，以将所述膜堆叠体的一部分从所述基板上去除，直到暴露所述基板的上表面；在经图案化的膜堆叠体的侧壁上形成侧壁钝化层；以及随后对所述膜堆叠体执行热退火工艺。

公开(公告)号：CN113851581A

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202111107385.8

申请日：2016-07-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 薛林 ,  安在洙 ,  M·帕卡拉 ,  程志康 ,  汪荣军

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本申请公开了一种用于形成MRAM应用中使用的具有期望的结晶度的结构的方法。本公开的实施方式提供用于在基板上制造自旋转移扭矩磁阻式随机存取存储器(STT‑MRAM)应用中使用的磁隧道结(MTJ)结构的方法和装置。在一个实施方式中，所述方法包括：将设置在基板上的具有隧穿阻挡层设置在磁基准层与磁存储层之间的膜堆叠体图案化，以将所述膜堆叠体的一部分从所述基板上去除，直到暴露所述基板的上表面；在经图案化的膜堆叠体的侧壁上形成侧壁钝化层；以及随后对所述膜堆叠体执行热退火工艺。

公开(公告)号：CN106356449B

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN201610554216.1

申请日：2016-07-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 薛林 ,  安在洙 ,  M·帕卡拉 ,  程志康 ,  汪荣军

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本申请公开了一种用于形成MRAM应用中使用的具有期望的结晶度的结构的方法。本公开的实施方式提供用于在基板上制造自旋转移扭矩磁阻式随机存取存储器(STT‑MRAM)应用中使用的磁隧道结(MTJ)结构的方法和装置。在一个实施方式中，所述方法包括：将设置在基板上的具有隧穿阻挡层设置在磁基准层与磁存储层之间的膜堆叠体图案化，以将所述膜堆叠体的一部分从所述基板上去除，直到暴露所述基板的上表面；在经图案化的膜堆叠体的侧壁上形成侧壁钝化层；以及随后对所述膜堆叠体执行热退火工艺。

公开(公告)号：CN106030841A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201580010185.7

申请日：2015-02-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·帕卡拉 ,  M·巴尔塞努 ,  J·杰曼 ,  J·安 ,  L·薛

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/02

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01L27/222 ,  H01L43/08

Abstract: 公开了一种用于制造MRAM位的方法，所述方法包括沉积间隔层，所述间隔层用以在处理期间保护隧穿阻挡层。所沉积的间隔层防止在后续处理中形成的副产物再沉积在隧穿阻挡层上。这种再沉积会造成产品故障并降低制造产率。此方法进一步包括非侵蚀性的处理条件，防止对MRAM位的多层造成损伤。此非侵蚀性的处理条件可包括在不使用卤素类等离子体的情况下进行蚀刻。本文公开的实施例采用了简化处理的蚀刻‑沉积‑蚀刻顺序。