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公开(公告)号：CN119422226A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202380052463.X
申请日：2023-07-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 王新科 , 沈泽青 , 苏米特·辛格·罗伊 , 阿卜希吉特·巴苏·马尔利克 , 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 唐杰丛 , 约翰·苏迪约诺 , 马克·萨利
IPC: H01L21/02 , H01L21/033 , G03F7/11
Abstract: 描述了在EUV光刻胶上沉积保形含碳膜以降低线边缘粗糙度(LER)的方法。示例性处理方法可包括使第一前驱物在图案化的EUV表面上方流动以在结构上形成初始含碳膜的第一部分。这些方法可包括从图案化的EUV光刻胶移除第一前驱物流出物。可随后使第二前驱物在图案化的EUV光刻胶上方流动以与初始含碳膜的第一部分反应。这些方法可包括从图案化的EUV光刻胶移除第二前驱物流出物。这些方法可包括蚀刻该基板以移除含碳膜的一部分并暴露图案化表面的顶表面及暴露图案化表面之间的基板。
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公开(公告)号：CN119948598A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202380069399.6
申请日：2023-09-19
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本发明技术的实施方式涉及半导体处理方法，所述半导体处理方法包括提供结构化半导体基板，所述基板包括具有底表面及顶表面的沟槽。所述方法进一步包括在沟槽的底表面上沉积含硅材料的一部分至少一个沉积周期，其中每一沉积周期包括：在沟槽的底表面和顶表面上沉积含硅材料的所述部分；在沟槽的底表面上的含硅材料上沉积含碳掩模层，其中所述含碳掩模层不形成在沟槽的顶表面上；从沟槽的顶表面移除所述含硅材料的所述部分；以及从沟槽的底表面上的含硅材料移除含碳掩模层，其中所沉积的含硅材料保留在沟槽的底表面上。
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公开(公告)号：CN119317998A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202380045258.0
申请日：2023-06-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 王新科 , 沈泽清 , 苏米特·辛格·罗伊 , 阿卜希吉特·巴苏·马尔利克 , 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 唐杰丛 , 约翰·苏迪约诺 , 马克·萨利
IPC: H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/033
Abstract: 描述了沉积保形含碳间隔件层的方法。示例性处理方法可包括使第一前驱物在经图案化表面及基板之上流动以在结构上形成初始含碳膜的第一部分。方法可包括自基板移除第一前驱物流出物。可接着使第二前驱物在基板之上流动以与初始含碳膜的第一部分反应。方法可包括自基板移除第二前驱物流出物。方法可包括蚀刻基板以移除含碳膜的一部分并暴露经图案化表面的顶表面且在经图案化表面之间暴露基板。经图案化表面可为EUV光刻胶图案，且含碳膜可形成在侧壁上并充当间隔件以减小临界尺寸(CD)。含碳膜可为纳米结构的侧壁充当蚀刻保护层或抗蚀刻层。当不执行蚀刻时，含碳膜可充当衬里材料。
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公开(公告)号：CN119631162A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202380055816.1
申请日：2023-08-03
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 沈泽清 , 王新科 , 苏米特·辛格·罗伊 , 阿卜希吉特·巴苏·马尔利克 , 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 约翰·苏迪约诺
IPC: H01L21/033 , H01L21/32
Abstract: 描述了选择性沉积含碳层的方法。示例性处理方法可包括用臭氧或过氧化氢中的一个或多个处理包括含碳表面和含硅表面的基板以钝化所述含硅表面。在一个或多个实施方式中，随后通过在基板上方流动第一前驱物来在含碳表面上而非在含硅表面上选择性沉积含碳层，以在含碳表面上而非在含硅表面上形成初始含碳膜的第一部分。方法可包括从基板移除第一前驱物流出物。第二前驱物可随后在基板上方流动以与初始含碳层的第一部分反应。方法可包括从基板移除第二前驱物流出物。
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