公开(公告)号：CN115605978A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202180035497.9

申请日：2021-03-15

Applicant: 应用材料公司(US)

Inventor： 戚波 ,  沈泽青 ,  阿卜希吉特·巴苏·马尔利克

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/38

Abstract: 半导体处理的示范性方法可包括：将含硼前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。基板可设置在半导体处理腔室的处理区域内。这些方法可包括：将含碳前驱物提供至该半导体处理腔室的该处理区域。该含碳前驱物可特征在于碳‑碳双键或碳‑碳三键。这些方法可包括：使该含硼前驱物和该含碳前驱物在低于约650℃的温度下热反应。这些方法可包括：在该基板上形成含硼和碳的层。

公开(公告)号：CN119422226A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202380052463.X

申请日：2023-07-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王新科 ,  沈泽青 ,  苏米特·辛格·罗伊 ,  阿卜希吉特·巴苏·马尔利克 ,  巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ,  唐杰丛 ,  约翰·苏迪约诺 ,  马克·萨利

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  G03F7/11

Abstract: 描述了在EUV光刻胶上沉积保形含碳膜以降低线边缘粗糙度(LER)的方法。示例性处理方法可包括使第一前驱物在图案化的EUV表面上方流动以在结构上形成初始含碳膜的第一部分。这些方法可包括从图案化的EUV光刻胶移除第一前驱物流出物。可随后使第二前驱物在图案化的EUV光刻胶上方流动以与初始含碳膜的第一部分反应。这些方法可包括从图案化的EUV光刻胶移除第二前驱物流出物。这些方法可包括蚀刻该基板以移除含碳膜的一部分并暴露图案化表面的顶表面及暴露图案化表面之间的基板。