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公开(公告)号：CN115605978A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202180035497.9
申请日：2021-03-15
Applicant: 应用材料公司(US)
Inventor： 戚波 , 沈泽青 , 阿卜希吉特·巴苏·马尔利克
Abstract: 半导体处理的示范性方法可包括：将含硼前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。基板可设置在半导体处理腔室的处理区域内。这些方法可包括：将含碳前驱物提供至该半导体处理腔室的该处理区域。该含碳前驱物可特征在于碳‑碳双键或碳‑碳三键。这些方法可包括：使该含硼前驱物和该含碳前驱物在低于约650℃的温度下热反应。这些方法可包括：在该基板上形成含硼和碳的层。
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