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发明公开
用于含硅材料的直接选择性沉积的分子层沉积碳掩模审中-实审

公开(公告)号：CN119948598A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202380069399.6

申请日：2023-09-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 沈泽清 , S·S·罗伊 , A·B·玛里克 , 王新科 , 冀翔 , P·P·杰哈

IPC: H01L21/02 , H01J37/32

Abstract: 本发明技术的实施方式涉及半导体处理方法，所述半导体处理方法包括提供结构化半导体基板，所述基板包括具有底表面及顶表面的沟槽。所述方法进一步包括在沟槽的底表面上沉积含硅材料的一部分至少一个沉积周期，其中每一沉积周期包括：在沟槽的底表面和顶表面上沉积含硅材料的所述部分；在沟槽的底表面上的含硅材料上沉积含碳掩模层，其中所述含碳掩模层不形成在沟槽的顶表面上；从沟槽的顶表面移除所述含硅材料的所述部分；以及从沟槽的底表面上的含硅材料移除含碳掩模层，其中所沉积的含硅材料保留在沟槽的底表面上。

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