公开(公告)号：CN116547780A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202180077770.4

申请日：2021-10-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·B·潘迪特 ,  M-P·蔡 ,  W·李 ,  M·蒋 ,  P·杰哈 ,  J·冷

IPC: H01L21/02

Abstract: 本技术的实施例可包括半导体处理方法，所述半导体处理方法包括在基板处理腔室中的基板上沉积半导体材料膜。可用扫描电子显微镜在基板的大于或约两个非邻接区域处对沉积膜的缺陷进行采样。被检测和表征的缺陷可包括尺寸为小于或约10纳米的缺陷。所述方法可进一步包括基于对基板的大于或约两个非邻接区域中的缺陷的采样来计算沉积膜中的缺陷总数。作为计算的结果，可调整至少一个沉积参数。对至少一个沉积参数的调整可减少半导体材料膜沉积中的缺陷总数。

公开(公告)号：CN117321241A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202280035927.1

申请日：2022-05-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李文慧 ,  P·P·杰哈 ,  M·B·潘迪特 ,  M-P·蔡 ,  梁璟梅 ,  M·W·蒋

IPC: C23C16/04

Abstract: 本文公开的处理方法包括通过将基板表面暴露于含硅前驱物和反应物来在基板表面上形成成核层和可流动化学气相沉积(FCVD)膜。通过控制前驱物/反应物压力比、前驱物/反应物流量比、以及基板温度中的至少一者，微小缺陷的形成被最小化。控制工艺参数中的至少一个工艺参数可减少微小缺陷的数量。FCVD膜可以通过任何合适的固化工艺来固化以形成光滑的FCVD膜。