公开(公告)号：CN116547780A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202180077770.4

申请日：2021-10-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·B·潘迪特 ,  M-P·蔡 ,  W·李 ,  M·蒋 ,  P·杰哈 ,  J·冷

IPC: H01L21/02

Abstract: 本技术的实施例可包括半导体处理方法，所述半导体处理方法包括在基板处理腔室中的基板上沉积半导体材料膜。可用扫描电子显微镜在基板的大于或约两个非邻接区域处对沉积膜的缺陷进行采样。被检测和表征的缺陷可包括尺寸为小于或约10纳米的缺陷。所述方法可进一步包括基于对基板的大于或约两个非邻接区域中的缺陷的采样来计算沉积膜中的缺陷总数。作为计算的结果，可调整至少一个沉积参数。对至少一个沉积参数的调整可减少半导体材料膜沉积中的缺陷总数。

公开(公告)号：CN115943482A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202180050627.6

申请日：2021-07-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 江施施 ,  P·杰哈 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/311

Abstract: 示例处理方法可包括：形成含硅前驱物的等离子体。方法可包括：利用含硅前驱物的等离子体流出物在半导体基板上沉积可流动膜。半导体基板可限定半导体基板内的特征。方法可包括：在半导体处理腔室的处理区域内形成含氢前驱物的等离子体。可从偏压功率源将偏压功率施加至基板支撑件。方法可包括：利用含氢前驱物的等离子体流出物从半导体基板内的特征的侧壁蚀刻可流动膜。方法可包括：利用含氢前驱物的等离子体流出物将限定于半导体基板内的特征内的保留的可流动膜致密化。