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公开(公告)号：CN107075671A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580053158.8
申请日：2015-09-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： P·K·库尔施拉希萨 , S·拉斯 , P·P·杰哈 , S·巴苏 , K·D·李 , M·J·西蒙斯 , 金柏涵 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , Z·段 , 荆雷 , M·B·潘迪特
IPC: C23C16/26 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46 , H01L21/66
Abstract: 一种调节一个或多个图案化膜的局部应力与覆盖误差的方法可包括调节引入腔室主体的气体的气体流动轮廓、使腔室主体内的气体流向基板、旋转基板，及通过利用双区加热器控制基板温度来统一基板的中心至边缘温度轮廓。用于沉积膜的腔室可包括包含一个或多个处理区的腔室主体。腔室主体可包括气体分配组件，气体分配组件具有挡板以用于输送气体至一个或多个处理区。挡板具有第一区域与第二区域，第一区域与第二区域各具多个孔洞。腔室主体可具有双区加热器。
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公开(公告)号：CN116547780A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202180077770.4
申请日：2021-10-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本技术的实施例可包括半导体处理方法，所述半导体处理方法包括在基板处理腔室中的基板上沉积半导体材料膜。可用扫描电子显微镜在基板的大于或约两个非邻接区域处对沉积膜的缺陷进行采样。被检测和表征的缺陷可包括尺寸为小于或约10纳米的缺陷。所述方法可进一步包括基于对基板的大于或约两个非邻接区域中的缺陷的采样来计算沉积膜中的缺陷总数。作为计算的结果，可调整至少一个沉积参数。对至少一个沉积参数的调整可减少半导体材料膜沉积中的缺陷总数。
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公开(公告)号：CN107075671B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201580053158.8
申请日：2015-09-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： P·K·库尔施拉希萨 , S·拉斯 , P·P·杰哈 , S·巴苏 , K·D·李 , M·J·西蒙斯 , 金柏涵 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , Z·段 , 荆雷 , M·B·潘迪特
IPC: C23C16/26 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46 , H01L21/66
Abstract: 一种调节一个或多个图案化膜的局部应力与覆盖误差的方法可包括调节引入腔室主体的气体的气体流动轮廓、使腔室主体内的气体流向基板、旋转基板，及通过利用双区加热器控制基板温度来统一基板的中心至边缘温度轮廓。用于沉积膜的腔室可包括包含一个或多个处理区的腔室主体。腔室主体可包括气体分配组件，气体分配组件具有挡板以用于输送气体至一个或多个处理区。挡板具有第一区域与第二区域，第一区域与第二区域各具多个孔洞。腔室主体可具有双区加热器。
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