公开(公告)号：CN107980172B

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN201680047305.5

申请日：2016-07-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·W·蒋 ,  P·P·杰哈 ,  韩新海 ,  金柏涵 ,  金相赫 ,  朱明勋 ,  朴亨珍 ,  金伦宽 ,  孙镇哲 ,  S·格纳纳威路 ,  M·G·库尔卡尼 ,  S·巴录佳 ,  M·K·莎莱扎 ,  J·K·福斯特

IPC: H01L27/11582 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11575

Abstract: 本公开的实施例一般涉及一种用于形成介电膜堆栈的改进方法，该介电膜堆栈用于3D NAND结构中的层间电介质(ILD)层。在一个实施例中，该方法包括提供具有栅堆栈沉积于其上的基板，使用第一RF功率及第一处理气体在该栅堆栈的暴露表面上形成第一氧化层，第一处理气体包含TEOS气体与第一含氧气体，及使用第二RF功率与第二处理气体在该第一氧化层上形成第二氧化层，第二处理气体包含硅烷气体与第二含氧气体。

公开(公告)号：CN107980172A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201680047305.5

申请日：2016-07-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·W·蒋 ,  P·P·杰哈 ,  韩新海 ,  金柏涵 ,  金相赫 ,  朱明勋 ,  朴亨珍 ,  金伦宽 ,  孙镇哲 ,  S·格纳纳威路 ,  M·G·库尔卡尼 ,  S·巴录佳 ,  M·K·莎莱扎 ,  J·K·福斯特

IPC: H01L27/11582 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11575

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/76801 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11575 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开的实施例一般涉及一种用于形成介电膜堆栈的改进方法，该介电膜堆栈用于3D NAND结构中的层间电介质(ILD)层。在一个实施例中，该方法包括提供具有栅堆栈沉积于其上的基板，使用第一RF功率及第一处理气体在该栅堆栈的暴露表面上形成第一氧化层，第一处理气体包含TEOS气体与第一含氧气体，及使用第二RF功率与第二处理气体在该第一氧化层上形成第二氧化层，第二处理气体包含硅烷气体与第二含氧气体。