晶片载置台及其制法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112185925B

    公开(公告)日:2024-11-19

    申请号:CN202010618886.1

    申请日:2020-06-30

    Abstract: 本发明提供一种晶片载置台(10),具备具有晶片载置面(12a)的陶瓷部件(12)、埋设在陶瓷部件(12)中的网格电极(14)、与网格电极(14)接触并从陶瓷部件(12)中的与晶片载置面(12a)相反一侧的面(12b)露出到外部的导电性的连接部件(16)、以及接合于连接部件(16)中露出到外部的面的外部通电部件(18)。在位于网格电极(14)中的与连接部件(16)对置的区域的网格开口部(14a)填充有烧结导电体(15),该烧结导电体是包含导电性粉末和陶瓷原料的混合物的烧结体。

    晶片支撑台
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110709983B

    公开(公告)日:2023-07-21

    申请号:CN201980002640.7

    申请日:2019-03-18

    Abstract: 本发明提供陶瓷加热器(10),其具备:在上表面具有载置晶片(W)的晶片载置面(22)的陶瓷基板(10);和埋设于陶瓷基板(10)的内部的加热电极(26)。陶瓷基板(20)具有芯部(20a)和设于芯部(20a)的表面的表层部(20b)。表层部(20b)的体积电阻率比芯部(20a)的体积电阻率高,芯部(20a)的导热率比表层部(20b)的导热率高。表层部(20b)设于芯部(20a)的侧面(20a2)和芯部(20a)的上表面(20a1)中的至少未由晶片(W)覆盖的区域。

    晶片支撑台
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110709983A

    公开(公告)日:2020-01-17

    申请号:CN201980002640.7

    申请日:2019-03-18

    Abstract: 本发明提供陶瓷加热器(10),其具备:在上表面具有载置晶片(W)的晶片载置面(22)的陶瓷基板(10);和埋设于陶瓷基板(10)的内部的加热电极(26)。陶瓷基板(20)具有芯部(20a)和设于芯部(20a)的表面的表层部(20b)。表层部(20b)的体积电阻率比芯部(20a)的体积电阻率高,芯部(20a)的导热率比表层部(20b)的导热率高。表层部(20b)设于芯部(20a)的侧面(20a2)和芯部(20a)的上表面(20a1)中的至少未由晶片(W)覆盖的区域。

    加热装置及半导体制造装置

    公开(公告)号:CN103325714B

    公开(公告)日:2017-05-17

    申请号:CN201310089112.4

    申请日:2013-03-20

    CPC classification number: H01L21/67103 H01L21/68792 H05B1/0233 H05B3/283

    Abstract: 本发明是加热装置及半导体制造装置。在加热晶片的加热装置中,同时做到中冷型温度分布的实现和温度控制性的提高,还防止中空轴的下端的高温化。加热装置(10)包括陶瓷基体(20)、电阻发热体(22)、中空轴(40)。陶瓷基体(20)包括中央部(20a)和外周部(20b)。电阻发热体(22)按其在中央部(20a)处的发热密度为外周部(20b)处的发热密度的1.4~2.0倍来设计。中空轴(40)包括第1部位(41)和第2部位(42),第1部位(41)的厚度tb1为6~10mm,第2部位(42)的厚度tb2为第1部位(41)的厚度tb1的0.3~0.5倍。又,第1部位(41)的长度为中空轴(40)的全长的0.4~0.8倍。

    加热装置及半导体制造装置

    公开(公告)号:CN103325714A

    公开(公告)日:2013-09-25

    申请号:CN201310089112.4

    申请日:2013-03-20

    CPC classification number: H01L21/67103 H01L21/68792 H05B1/0233 H05B3/283

    Abstract: 本发明是加热装置及半导体制造装置。在加热晶片的加热装置中,同时做到中冷型温度分布的实现和温度控制性的提高,还防止中空轴的下端的高温化。加热装置(10)包括陶瓷基体(20)、电阻发热体(22)、中空轴(40)。陶瓷基体(20)包括中央部(20a)和外周部(20b)。电阻发热体(22)按其在中央部(20a)处的发热密度为外周部(20b)处的发热密度的1.4~2.0倍来设计。中空轴(40)包括第1部位(41)和第2部位(42),第1部位(41)的厚度tb1为6~10mm,第2部位(42)的厚度tb2为第1部位(41)的厚度tb1的0.3~0.5倍。又,第1部位(41)的长度为中空轴(40)的全长的0.4~0.8倍。

    晶片支撑台及RF棒
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117043925A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202280003234.4

    申请日:2022-03-08

    Inventor: 海野丰 原朋弘

    Abstract: 晶片支撑台20具备:陶瓷基体21,其具有晶片载放面21a,且自晶片载放面21a侧开始依次植入有RF电极22和加热器电极27;孔21c,其设置为从陶瓷基体21的与晶片载放面21a相反侧的面趋向RF电极22;以及RF棒30,其将高频电力向RF电极22供给,且末端30a和与在孔21c的底面露出的RF电极22连接的23接合。RF棒30构成为:末端30a至规定位置33的区域由Ni制的第一棒部件32构成,规定位置33至基端30b的区域由非磁性体制的第二棒部件34构成。

    陶瓷加热器
    9.
    发明公开
    陶瓷加热器 审中-实审

    公开(公告)号:CN114585114A

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN202111436453.5

    申请日:2021-11-29

    Inventor: 原朋弘 海野丰

    Abstract: 本发明提供一种陶瓷加热器,其目的在于使其容易达成目标温度分布。作为解决方案,陶瓷加热器(10)具备:具有晶片载置面的圆盘状的陶瓷板(20);以及设置于陶瓷板(20)的与晶片载置面相反侧的面的轴(40)。在陶瓷板(20)的内部埋设有第一电阻发热体(21)及第二电阻发热体(22)。在从上方观察陶瓷板(20)时,在圆周方向上相互面对的第一折回部(21b)、(21c)彼此的间隙(第一间隙(21d))与在圆周方向上相互面对的第二折回部(22b)、(22c)彼此的间隙(第二间隙(22d))配置为不重叠。

    晶片载置台及其制法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112185925A

    公开(公告)日:2021-01-05

    申请号:CN202010618886.1

    申请日:2020-06-30

    Abstract: 本发明提供一种晶片载置台(10),具备具有晶片载置面(12a)的陶瓷部件(12)、埋设在陶瓷部件(12)中的网格电极(14)、与网格电极(14)接触并从陶瓷部件(12)中的与晶片载置面(12a)相反一侧的面(12b)露出到外部的导电性的连接部件(16)、以及接合于连接部件(16)中露出到外部的面的外部通电部件(18)。在位于网格电极(14)中的与连接部件(16)对置的区域的网格开口部(14a)填充有烧结导电体(15),该烧结导电体是包含导电性粉末和陶瓷原料的混合物的烧结体。

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