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    半导体制造装置用部件
    1.
    发明公开
    半导体制造装置用部件 审中-实审

    公开(公告)号：CN119365971A

    公开(公告)日：2025-01-24

    申请号：CN202280006001.X

    申请日：2022-06-30

    Applicant: 日本碍子株式会社

    Inventor： 小岛充 ,  竹林央史 ,  和气隼也

    IPC: H01L21/683 ,  H01L21/3065

    Abstract: 晶圆载置台10具备气体流出通路56、气体共通通路54以及气体流入通路52。气体流出通路56在晶圆载置面21开口、且在晶圆载置台10设置有多个。气体共通通路54设置于晶圆载置台10的内部、且与多个气体流出通路56连通。气体流入通路52从晶圆载置台10中的晶圆载置面21的相反侧的面与气体共通通路54连通。气体流入通路52的数量少于与气体共通通路54连通的气体流出通路56的数量。多个气体流出通路56中的接近气体流入通路52的气体流出通路56与远离气体流入通路52的气体流出通路56相比，气体通过阻力更大。

    静电卡盘组件
    2.
    发明公开
    静电卡盘组件 审中-实审

    公开(公告)号：CN119895556A

    公开(公告)日：2025-04-25

    申请号：CN202280006054.1

    申请日：2022-09-28

    Applicant: 日本碍子株式会社

    Inventor： 竹林央史 ,  和气隼也 ,  小岛充

    IPC: H01L21/683

    Abstract: 提供一种静电卡盘组件，其能够成倍地延长在真空腔室内使用时的耐用期间。该静电卡盘组件具备：作为静电卡盘的圆盘状的电极内置陶瓷板；圆盘状的冷却板，其支承电极内置陶瓷板的底面，具有环状或圆弧状的内部空间；环状或圆弧状的内部固定部件，其以能够相对于冷却板的中心轴进行旋转的方式被收纳于内部空间；n的倍数个(其中，n为2以上的整数)内螺纹部，它们彼此隔开间隔地设置在内部固定部件；和n个开孔，它们以使一组的n个内螺纹部露出的方式设置在冷却板的底部，用于插入腔室固定用的螺栓，各个内螺纹部配置为：在内部固定部件以规定角度或其倍数的角度旋转的情况下，另一组的n个内螺纹部在开孔中露出。

    加热装置及半导体制造装置
    3.
    发明授权
    加热装置及半导体制造装置 有权

    公开(公告)号：CN103325714B

    公开(公告)日：2017-05-17

    申请号：CN201310089112.4

    申请日：2013-03-20

    Applicant: 日本碍子株式会社

    Inventor： 海野丰 ,  和气隼也

    IPC: H01L21/67 ,  H01L21/205

    CPC classification number: H01L21/67103 ,  H01L21/68792 ,  H05B1/0233 ,  H05B3/283

    Abstract: 本发明是加热装置及半导体制造装置。在加热晶片的加热装置中，同时做到中冷型温度分布的实现和温度控制性的提高，还防止中空轴的下端的高温化。加热装置（10）包括陶瓷基体（20）、电阻发热体（22）、中空轴（40）。陶瓷基体（20）包括中央部（20a）和外周部（20b）。电阻发热体（22）按其在中央部（20a）处的发热密度为外周部（20b）处的发热密度的1.4～2.0倍来设计。中空轴（40）包括第1部位（41）和第2部位（42），第1部位（41）的厚度tb1为6～10mm，第2部位（42）的厚度tb2为第1部位（41）的厚度tb1的0.3～0.5倍。又，第1部位（41）的长度为中空轴（40）的全长的0.4～0.8倍。

    加热装置及半导体制造装置
    4.
    发明公开
    加热装置及半导体制造装置 有权

    公开(公告)号：CN103325714A

    公开(公告)日：2013-09-25

    申请号：CN201310089112.4

    申请日：2013-03-20

    Applicant: 日本碍子株式会社

    Inventor： 海野丰 ,  和气隼也

    IPC: H01L21/67 ,  H01L21/205

    CPC classification number: H01L21/67103 ,  H01L21/68792 ,  H05B1/0233 ,  H05B3/283

    Abstract: 本发明是加热装置及半导体制造装置。在加热晶片的加热装置中，同时做到中冷型温度分布的实现和温度控制性的提高，还防止中空轴的下端的高温化。加热装置（10）包括陶瓷基体（20）、电阻发热体（22）、中空轴（40）。陶瓷基体（20）包括中央部（20a）和外周部（20b）。电阻发热体（22）按其在中央部（20a）处的发热密度为外周部（20b）处的发热密度的1.4～2.0倍来设计。中空轴（40）包括第1部位（41）和第2部位（42），第1部位（41）的厚度tb1为6～10mm，第2部位（42）的厚度tb2为第1部位（41）的厚度tb1的0.3～0.5倍。又，第1部位（41）的长度为中空轴（40）的全长的0.4～0.8倍。

    半导体制造装置用部件
    6.
    发明公开
    半导体制造装置用部件 审中-实审

    公开(公告)号：CN119365970A

    公开(公告)日：2025-01-24

    申请号：CN202280005647.6

    申请日：2022-06-30

    Applicant: 日本碍子株式会社

    Inventor： 小岛充 ,  竹林央史 ,  和气隼也

    IPC: H01L21/683 ,  H01L21/3065

    Abstract: 晶片载放台10具备：陶瓷板20；导电性的基板30；气体共通通路54，其设置于基板30的内部；气体流出通路56，其以从气体共通通路54至晶片载放面的方式设置有多个；气体流入通路52，其设置成自基板30的下表面与气体共通通路54连通；以及绝缘套筒60，其为配置于基板贯通孔31且不能分离的1个部件。绝缘套筒60具有：构成气体共通通路54的一部分的第一连通孔64、以及设置成从第一连通孔64至绝缘套筒60的上表面且构成气体流出通路56的一部分的第二连通孔66。

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