等离子体处理装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100591188C

    公开(公告)日:2010-02-17

    申请号:CN200610084697.0

    申请日:2006-05-30

    CPC classification number: H01J37/32082 H01J37/32577

    Abstract: 本发明提供在对供电部件供给高频电流时能够减小供电部件发热量的等离子体处理装置,其具备:设有高频电极的陶瓷基体;对高频电极供给高频电流的高频电极用供电部件。高频电极用供电部件具有:供电主体部;高电导率金属层,该高电导率金属层的电导率比供电主体部的电导率更高,该高电导率金属层形成在供电主体部的表面侧并由金属Au形成;以及防扩散金属层,其厚度为0.1~5μm,该防扩散金属层设置在上述供电主体部和上述高电导率金属层之间,用于防止上述高电导率金属层向上述供电主体部扩散,该防扩散金属层由Cr形成。上述等离子体处理装置的特征在于,上述供电主体部形成为镊棒,上述高电导率金属层具有10-30微米的厚度。

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