公开(公告)号：CN109148596A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810938109.8

申请日：2018-08-17

申请人： 武汉华星光电半导体显示技术有限公司

发明人： 张佳纯

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78672 ,  H01L29/6675

摘要： 本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管，包括基底、设于基底上方的多晶硅层以及设于多晶硅层上方的第一绝缘层、源/漏极，源/漏极位于第一绝缘层上方、穿过第一绝缘层并延伸至多晶硅层；第一绝缘层包括层叠设置的第一子绝缘层和第二子绝缘层，第一子绝缘层相对于第二子绝缘层更靠近多晶硅层，且第一子绝缘层内的氢原子含量高于第二子绝缘层。本发明还公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法。在高温退火时，氢原子含量更高的第一子绝缘层内的氢原子向下扩散至多晶硅层而与悬空键结合，氢原子向下扩散效果更明显，可以明显提高低温多晶硅的电子迁移率，进而提高LTPS器件的开态电流和响应速度。

公开(公告)号：CN108962758A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810826079.1

申请日：2018-07-25

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  成都京东方光电科技有限公司

发明人： 喻春霖 ,  胡岩 ,  袁洪光 ,  袁志龙 ,  杨晓东 ,  周成 ,  张春鹏 ,  张党龙 ,  蔡少波 ,  陈振东

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/66 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L29/6675 ,  H01L21/26506 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

摘要： 本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，在形成多晶硅薄膜之后，确定多晶硅薄膜的晶界比率；然后确定晶界比率是否在预先获得的标准范围内；如果晶界比率在标准范围内，则根据预设的离子注入量对多晶对薄膜进行离子注入；如果晶界比率不在标准范围内，则对预设的离子注入量进行调整，根据调整后的离子注入量对多晶对薄膜进行离子注入。通过对晶界比率进行监控，从而达到监控LTPS特性的目的，而对于拦截到的特性异常的情况，通过调整离子注入浓度，可在前端修复特性不良，降低特性不良损失，提升良率。

公开(公告)号：CN107240610A

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201710456964.0

申请日：2017-06-16

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  成都京东方光电科技有限公司

发明人： 冯佑雄

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/0603 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/786

摘要： 一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板及其制备方法、以及显示装置。该薄膜晶体管的制备方法包括：在衬底基板上形成有源层；在所述有源层上方形成栅极，该栅极与所述有源层绝缘；以栅极为掩模对所述有源层进行第一次掺杂；在所述栅极上方形成金属层，该金属层与所述栅极绝缘并具有突出部，所述栅极在所述衬底基板上的正投影为第一投影，所述金属层在所述衬底基板上的正投影为第二投影，在所述金属层的所述突出部对应的区域处所述第二投影突出于所述第一投影；以及以所述金属层为掩模对所述有源层进行第二次掺杂。

公开(公告)号：CN106952824A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201710134673.X

申请日：2017-03-08

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 唐敏

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/266

CPC分类号： H01L29/66492 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/266 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78672

摘要： 本发明实施例提供一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，包括：提供一基板，所述基板上形成多晶硅层，所述多晶硅层包括第一区域、第二区域和第三区域；在所述第一区域及所述第二区域上涂布光刻胶，并经过曝光、第一次显影形成光刻胶层；以所述光刻胶层为遮挡进行第一次掺杂工艺，以在所述第三区域上形成重掺杂区域；对所述光刻胶层进行第二次显影，以使得所述第二区域露出；以第二次显影后的光刻胶层为遮挡进行第二次掺杂工艺，以在所述第二区域上形成轻掺杂区域。本发明的方法可以节省一道黄光及光刻胶的剥离制程，降低了工艺成本。

公开(公告)号：CN106356407A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610950863.4

申请日：2016-10-26

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

发明人： 杨成绍 ,  操彬彬

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/6675

摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法，涉及显示技术领域，可提高薄膜晶体管的稳定性。所述薄膜晶体管包括：衬底，设置在所述衬底上的有源层，所述有源层包括源极区、漏极区和沟道区；还包括设置在所述有源层上方且至少与所述沟道区对应的紫外光阻挡层，所述紫外光阻挡层用于吸收紫外光。

公开(公告)号：CN106229347A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201610717963.2

申请日：2016-08-24

申请人： 武汉华星光电技术有限公司

发明人： 张占东

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78648 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78672

摘要： 本申请提出了一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法。本发明是要解决现有产品由SiNx与SiO2组成的栅极绝缘层具有表面接触特性与薄膜连续性不好，形成二段角，出现光电介质层断裂，造成短路，导致产品性能异常的问题。它包括基板、第一栅极、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、第二栅极、介电层、第一像素电极层、有机平坦层、第一氧化铟锡层、第二氧化铟锡层、钝化层和第二像素电极层。方法：形成依次包括基板、第一栅极、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、第二栅极、介电层、第一像素电极层、有机平坦层、第一氧化铟锡层、第二氧化铟锡层、钝化层和第二像素电极层在内的多层结构。本发明为两层氧化铟锡层膜层结构，避免二段角异常的出现。

公开(公告)号：CN106132903A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201580015792.2

申请日：2015-04-15

申请人： 住友金属矿山株式会社

发明人： 中山德行 ,  西村英一郎 ,  松村文彦 ,  井藁正史

IPC分类号： C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363

CPC分类号： C04B35/45 ,  C04B35/00 ,  C04B35/01 ,  C04B35/62218 ,  C04B35/6261 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3282 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/087 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/5806 ,  H01J37/3429 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/04 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

摘要： 本发明提供一种在通过溅射法制成氧化物半导体薄膜时能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率氧化物烧结体以及使用该氧化物烧结体的溅射用靶。该氧化物烧结体以氧化物的形式含有铟、镓和铜。由Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量优选为0.20以上且0.45以下，由Cu/(In+Ga+Cu)原子数比计的铜的含量优选为0.001以上且小于0.03，并且优选在1200℃以上且1550℃以下的温度进行烧成。将该氧化物烧结体作为溅射用靶而形成的非晶质的氧化物半导体薄膜，能够获得载流子浓度为3.0×1018cm‑3以下、载流子迁移率为10cm2V‑1sec‑1以上。

公开(公告)号：CN103219228B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201310076693.8

申请日：2013-03-11

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司

发明人： 王祖强

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/78672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/6675

摘要： 本发明公开了一种多晶硅层的制作方法和多晶硅薄膜晶体管的制造方法，涉及显示领域，该方法形成的多晶硅层晶化率高、晶粒均匀、晶界缺陷少，从而可改善多晶硅薄膜晶体管的电学性能，提高多晶硅薄膜晶体管的可靠性。本发明所述多晶硅层的制作方法，包括：提供一基底；在所述基底上依次形成阻挡层和缓冲层；通过构图工艺在所述缓冲层中设置多个沟槽，并在所述缓冲层之上形成籽晶；在设置有沟槽的所述缓冲层及所述籽晶上，形成非晶硅层；采用热处理工艺将所述非晶硅层转化为多晶硅层。本发明用于该进多晶硅薄膜质量。

公开(公告)号：CN105470312A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201610094823.4

申请日：2016-02-19

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 李金明

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66757 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/6675

摘要： 本发明涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法，包括基板、形成于基板上的金属诱导层、形成于金属诱导层上的阻挡层以及形成于阻挡层上的非晶硅膜层，非晶硅膜层经过金属诱导层的诱导作用转化为多晶硅膜层，多晶硅膜层为有源层。在本发明中，虽然有源层是利用金属诱导法得到的，但金属诱导层是设置在非晶硅膜层下方的，且金属诱导层与非晶硅膜层之间还设有阻挡层。利用金属诱导层可实现对非晶硅的诱导，使其重结晶转变为多晶硅；利用阻挡层可有效控制进入非晶硅膜层中的金属离子的含量，降低诱导后在多晶硅膜层中残留金属离子的含量。

公开(公告)号：CN103123910B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201210429977.6

申请日：2012-10-31

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 马占洁

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/6675 ,  H01L2227/323

摘要： 本发明属于显示技术领域，公开了一种阵列基板及其制造方法。该阵列基板的源极图案、漏极图案、像素电极图案和有源层图案是由一次构图工艺形成的，与传统阵列基板的制作工艺相比，工艺简单，缩短了生产时间，降低了产品成本，提高了产品质量。