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公开(公告)号：CN106164014A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580015529.3
申请日：2015-04-15
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363
CPC classification number: C04B35/45 , C04B35/00 , C04B35/01 , C04B35/62218 , C04B35/6261 , C04B2235/3281 , C04B2235/3282 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6585 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/0036 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/087 , C23C14/34 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , H01J37/3429 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L29/04 , H01L29/6675 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: 本发明提供一种在通过溅射法制成氧化物半导体薄膜时能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率的氧化物烧结体以及使用该氧化物烧结体的溅射用靶。该氧化物烧结体以氧化物的形式含有铟、镓和铜。以Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量优选为0.08以上且小于0.20，以Cu/(In+Ga+Cu)原子数比计的铜的含量优选为0.001以上且小于0.03，并且优选在1200℃以上且1550℃以下的温度进行烧成。将该氧化物烧结体作为溅射用靶而形成的结晶质的氧化物半导体薄膜，能够获得载流子浓度为1.0×1018cm‑3以下、载流子迁移率为10cm2V‑1sec‑1以上。
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公开(公告)号：CN108962724A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810801711.7
申请日：2014-07-16
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/34
CPC classification number: H01L29/7869 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L27/1285 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种结晶质氧化物半导体薄膜，在非晶质状态中蚀刻性优良，在结晶质状态中具有低载流子浓度和高载流子迁移率，适宜用作薄膜晶体管的沟道层材料，仅由方铁锰矿型结构的In2O3相构成。通过将氧化物烧结体作为靶来形成非晶质氧化物薄膜，对该非晶质氧化物薄膜通过利用光刻法技术进行蚀刻来进行微细加工，进行退火处理，所述氧化物烧结体由铟、镓、氧和不可避免的杂质构成，所述镓含量以Ga/(In+Ga)原子数比计处于0.09～0.45的范围，以方铁锰矿型结构的In2O3相作为主结晶相，在该主结晶相中微细地分散有β‑Ga2O3型结构的GaInO3相或者β‑Ga2O3型结构的GaInO3相和(Ga,In)2O3相。
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公开(公告)号：CN106029603A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580009747.6
申请日：2015-02-12
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/34 , C23C14/58 , H01L21/363
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/656 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/5853 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结体以及使用所述氧化物烧结体的溅射靶，在通过溅射法将所述氧化物烧结体制成氧化物半导体薄膜时，能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率。该氧化物烧结体含有作为氧化物的铟、镓和锌。由Ga/(In+Ga)原子数比所表示的镓的含量为0.08以上且小于0.20，由Zn/(In+Ga+Zn)原子数比所表示的锌的含量为0.0001以上且小于0.08。将该氧化物烧结体作为溅射靶而形成的晶质氧化物半导体薄膜所获得的载流子浓度为8.0×1017cm‑3以下，载流子迁移率为10cm2/V·s以上。
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公开(公告)号：CN105393360A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201480040462.4
申请日：2014-07-16
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L21/477
CPC classification number: H01L29/7869 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L27/1285 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种结晶质氧化物半导体薄膜，其中，在非晶质状态中蚀刻性优良，并且在结晶质状态中具有低载流子浓度和高载流子迁移率，适宜用作薄膜晶体管的沟道层材料，仅由方铁锰矿型结构的In2O3相构成。通过将氧化物烧结体作为靶来形成非晶质氧化物薄膜，并且，对该非晶质氧化物薄膜通过利用光刻法技术进行蚀刻来进行微细加工，进行退火处理，并且，所述氧化物烧结体由铟、镓、氧和不可避免的杂质构成，所述镓含量以Ga/(In+Ga)原子数比计处于0.09～0.45的范围，并且以方铁锰矿型结构的In2O3相作为主结晶相，在该主结晶相中微细地分散有β-Ga2O3型结构的GaInO3相或者β-Ga2O3型结构的GaInO3相和(Ga,In)2O3相。
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公开(公告)号：CN105009298B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201480012738.8
申请日：2014-03-06
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/7869 , C01B21/0821 , C01P2006/40 , H01L21/02521 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02667 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/66969
Abstract: 本发明的目的是通过氧氮化物结晶质薄膜提供一种具有相对高的载流子迁移率并且适合作为TFT的沟道层材料的氧化物半导体薄膜。本发明对含有In、O以及N的非晶质的氧氮化物半导体薄膜或者含有In、O、N以及添加元素M(M是从Zn、Ga、Ti、Si、Ge、Sn、W、Mg、Al、Y以及稀土类元素中选出的一种以上的元素)的非晶质的氧氮化物半导体薄膜进行加热温度为200℃以上、加热时间为1分钟～120分钟的退火处理，由此，得到结晶质的氧氮化物半导体薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106029604A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580009757.X
申请日：2015-02-12
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/34 , C23C14/58 , H01L21/363
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/6261 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6583 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/76 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/5806 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/78693
Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结体以及使用所述氧化物烧结体的溅射靶，在通过溅射法将所述氧化物烧结体制成氧化物半导体薄膜时，能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率。该氧化物烧结体含有作为氧化物的铟、镓和锌。由Ga/(In+Ga)原子数比所表示的镓的含量为0.20以上且0.49以下，由Zn/(In+Ga+Zn)原子数比所表示的锌的含量为0.0001以上且小于0.08。将该氧化物烧结体作为溅射靶而形成的非晶质氧化物半导体薄膜所获得的载流子浓度为4.0×1018cm‑3以下，载流子迁移率为10cm2/V·s以上。
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公开(公告)号：CN107922212B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201680048773.4
申请日：2016-08-22
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 本发明提供低电阻且能够实现具有高输出特性的优异的二次电池的作为二次电池的正极活性物质的原料的锰镍复合氢氧化物。本发明的锰镍复合氢氧化物，其中，其由通式(A)：Mn1‑x‑yNixMy(OH)2+α表示，式中，0≤x≤0.27，0≤y≤0.05，0≤α≤0.5，M是从Mg、Al、Ca、Ba、Sr、Ti、V、Fe、Cr、Co、Cu、Zr、Nb、Mo、W中选出的至少一种元素；SO42‑的含量为0.90重量％以下，而且，Na的含量为0.04重量％以下，BET比表面积为40m2/g以上且70m2/g以下，通过表示粒度分布的宽度的指标〔(d90‑d10)/平均粒径〕求出的值为0.90以下。
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公开(公告)号：CN107922212A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680048773.4
申请日：2016-08-22
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 本发明提供低电阻且能够实现具有高输出特性的优异的二次电池的作为二次电池的正极活性物质的原料的锰镍复合氢氧化物。本发明的锰镍复合氢氧化物，其中，其由通式(A)：Mn1-x-yNixMy(OH)2+α表示，式中，0≤x≤0.27，0≤y≤0.05，0≤α≤0.5，M是从Mg、Al、Ca、Ba、Sr、Ti、V、Fe、Cr、Co、Cu、Zr、Nb、Mo、W中选出的至少一种元素；SO4的含量为0.90重量％以下，而且，Na的含量为0.04重量％以下，BET比表面积为40m2/g以上且70m2/g以下，通过表示粒度分布的宽度的指标〔(d90-d10)/平均粒径〕求出的值为0.90以下。
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公开(公告)号：CN106458759A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580029802.8
申请日：2015-06-24
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/62218 , C04B35/64 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3286 , C04B2235/3296 , C04B2235/5436 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/6586 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3407 , H01J37/3426 , H01J37/3429 , H01L21/02483 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/465 , H01L29/2206 , H01L29/245 , H01L29/247 , H01L29/66969 , H01L29/78693
Abstract: 本发明提供一种通过溅射法制造氧化物半导体薄膜时能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率的氧化物烧结体以及使用该氧化物烧结体的溅射靶。所述氧化物烧结体含有以氧化物方式存在的铟、镓以及选自由镍、钴、钙、锶和铅组成的组中的一种以上的正二价元素。以Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量为0.08以上且小于0.20，以M/(In+Ga+M)原子数比计的所述正二价元素M的含量为0.0001以上且0.05以下。将所述氧化物烧结体作为溅射靶而形成的结晶质的氧化物半导体薄膜，载流子浓度小于1.0×1018cm-3，载流子迁移率为10cm2V-1sec-1以上。
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公开(公告)号：CN106132903A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580015792.2
申请日：2015-04-15
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363
CPC classification number: C04B35/45 , C04B35/00 , C04B35/01 , C04B35/62218 , C04B35/6261 , C04B2235/3281 , C04B2235/3282 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6585 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/0036 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/087 , C23C14/34 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , H01J37/3429 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L29/04 , H01L29/6675 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: 本发明提供一种在通过溅射法制成氧化物半导体薄膜时能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率氧化物烧结体以及使用该氧化物烧结体的溅射用靶。该氧化物烧结体以氧化物的形式含有铟、镓和铜。由Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量优选为0.20以上且0.45以下，由Cu/(In+Ga+Cu)原子数比计的铜的含量优选为0.001以上且小于0.03，并且优选在1200℃以上且1550℃以下的温度进行烧成。将该氧化物烧结体作为溅射用靶而形成的非晶质的氧化物半导体薄膜，能够获得载流子浓度为3.0×1018cm‑3以下、载流子迁移率为10cm2V‑1sec‑1以上。
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