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公开(公告)号：CN103460336A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201180069724.6
申请日：2011-03-30
Applicant: 高萨姆·维斯瓦纳达姆
Inventor： 高萨姆·维斯瓦纳达姆
IPC: H01L21/00
CPC classification number: B81C1/00341 , B81B2201/051 , B81B2203/0315 , B81B2203/0338 , B81C1/00476 , B81C2201/0107 , B81C2203/036 , H01L21/00
Abstract: 本发明提出了一种在玻璃上制备具有微特征的微器件的方法。该方法包括以下步骤：预设第一玻璃基板，并在所述第一玻璃基板上制备金属图案，预设第二玻璃基板并在所述第二玻璃基板上设一个或多个通孔，在可控的升温中加热所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板，通过加压的方式键合所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板，以形成一个键合基板，其中，所述金属图案嵌于所述键合基板内，在可控的降温中冷却所述键合基板，然后将所述键合基板保持在一个适宜蚀刻的温度，蚀刻所述键合基板内的金属图案，其中，蚀刻剂通过所述通孔流入金属图案，在键合基板内形成的一个空间，其中，所述空间具有微特征。
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公开(公告)号：CN102046516A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200980120517.1
申请日：2009-06-03
Applicant: 高通MEMS科技公司
Inventor： 詹姆斯·兰道夫·韦伯斯特 , 坦·义·涂 , 颜小明 , 张万宿
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81B3/0008 , B81B2201/042 , B81C2201/0107 , B81C2201/0109 , B81C2201/115 , G02B26/001 , Y10T428/24917
Abstract: 本发明提供制造机电系统装置的方法，其减轻所述装置的可移动组件的永久粘合或静摩擦。所述方法提供具有改进的且可再生的表面粗糙度的非晶硅牺牲层。所述非晶硅牺牲层进一步展现对机电系统装置中使用的常见材料的极好粘合。
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公开(公告)号：CN1496333A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN02803671.9
申请日：2002-01-11
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81B3/00 , B81C1/00 , H01L21/308 , C23F13/14
CPC classification number: H01L21/30604 , B81B2201/12 , B81B2203/0118 , B81C1/00801 , B81C2201/0107 , B81C2201/0114 , B81C2201/0133 , C23F13/14
Abstract: 一种在制造期间保护微结构材料不受不希望的电腐蚀的方法，所述结构包括所述材料和贵金属层(8)，该方法包括在结构上形成具有的氧化还原电位比所述材料低的牺牲金属层(12)，该牺牲金属层电连接到所述贵金属层(8)。
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公开(公告)号：CN101462691A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200710125261.6
申请日：2007-12-19
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B3/001 , B81C2201/0107
Abstract: 本发明涉及一种刻蚀牺牲层形成间隙的方法，其包括以下步骤：提供一基底，在该基底上沉积一第一材料层，在第一材料层上沉积一牺牲层；在牺牲层上形成图形化的第二材料层；干法刻蚀部分牺牲层；湿法刻蚀部分剩余牺牲层，在第一材料层和第二材料层之间形成间隙，使牺牲层在第二材料层上靠近第一材料层的一侧形成凸点。
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公开(公告)号：CN1215968C
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN02803671.9
申请日：2002-01-11
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81B3/00 , B81C1/00 , H01L21/308 , C23F13/14
CPC classification number: H01L21/30604 , B81B2201/12 , B81B2203/0118 , B81C1/00801 , B81C2201/0107 , B81C2201/0114 , B81C2201/0133 , C23F13/14
Abstract: 一种在制造期间保护微结构材料不受不希望的电腐蚀的方法，所述结构包括所述材料和贵金属层(8)，该方法包括在结构上形成具有的氧化还原电位比所述材料低的牺牲金属层(12)，该牺牲金属层电连接到所述贵金属层(8)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1613154A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN02826974.8
申请日：2002-11-08
Inventor： 达纳·R·德吕斯
CPC classification number: B81B3/0024 , B81B3/0051 , B81B2201/014 , B81B2201/018 , B81B2203/0118 , B81B2203/04 , B81B2207/07 , B81C1/0015 , B81C2201/0107 , B81C2201/0108 , B81C2201/0109 , H01H1/04 , H01H1/504 , H01H59/0009 , H01H61/04 , H01H2001/0042 , H01H2001/0063 , H01H2001/0089 , H01H2059/0072 , H01H2061/006 , H01L23/3735 , H01L23/522 , H01L27/1203 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H02N1/006 , H02N10/00 , Y10T29/49222 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，提供一种悬挂在基板上方的可移动MEMS部件。该部件可包括结构层，该结构层具有与基板分开一定间隙的可移动电极。该部件还可包括至少一个支座凸块，该支座凸块固定到结构层上并延伸到所述间隙中，当该部件移动时用于防止可移动电极与导电材料接触。
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公开(公告)号：CN107434239A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710613928.0
申请日：2017-07-25
Applicant: 清华大学
CPC classification number: B81B7/02 , A61N1/0541 , B81B7/04 , B81B2201/06 , B81B2203/04 , B81C1/00214 , B81C1/00349 , B81C1/00531 , B81C2201/0107 , B81C2201/0132 , B81C2201/0147 , B81C2201/0174
Abstract: 本发明公开了一种可应用于人工耳蜗的MEMS薄膜电极阵列与加工方法。包括：所述薄膜电极阵列采用直线型结构，薄膜平面内电极形状为圆形，垂直于平面方向电极具有凸起形状；薄膜电极阵列内电极的尺寸根据人工耳蜗激励电流要求与电极材料电荷密度安全值设计，其中，电极中心间距≥150μm，每个电极暴露面积直径≥70μm。本发明引入MEMS微加工技术，提升了电极阵列的电极密度，降低了手工加工的加工成本。
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公开(公告)号：CN101462691B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200710125261.6
申请日：2007-12-19
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: B81B3/001 , B81C2201/0107
Abstract: 本发明涉及一种刻蚀牺牲层形成间隙的方法，其包括以下步骤：提供一基底，在该基底上沉积一第一材料层，在第一材料层上沉积一牺牲层；在牺牲层上形成图形化的第二材料层；干法刻蚀部分牺牲层；湿法刻蚀部分剩余牺牲层，在第一材料层和第二材料层之间形成间隙，使牺牲层在第二材料层上靠近第一材料层的一侧形成凸点。
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公开(公告)号：CN101389566A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200780006450.X
申请日：2007-02-07
Applicant: 高通MEMS科技公司
Inventor： 周岑今 , 吴春辰 , 帕特里克·F·布林克利
CPC classification number: B81C99/004 , B81B2201/047 , B81C1/00714 , B81C2201/0107 , G02B26/001
Abstract: 本发明揭示一种制作MEMS装置的方法，其包括：在移除导电牺牲层之前，通过经由所述导电牺牲层跨越绝缘层施加电压达一时间周期来调节所述绝缘层。所述调节过程可用于使积累在所述绝缘层内的电荷饱和或稳定。还可测量跨越所述绝缘层的电阻，以检测所述绝缘层中可能的缺陷。
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公开(公告)号：CN1695233A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN02826975.6
申请日：2002-11-08
Inventor： 肖恩·J·坎宁安 , 斯韦特兰娜·塔蒂克-卢奇克
IPC: H01L21/302 , H01L21/4763 , H01P1/10 , H01H57/00 , H02B1/00
CPC classification number: B81B3/0024 , B81B3/0051 , B81B2201/014 , B81B2201/018 , B81B2203/0118 , B81B2203/04 , B81B2207/07 , B81C1/0015 , B81C2201/0107 , B81C2201/0108 , B81C2201/0109 , H01H1/04 , H01H1/504 , H01H59/0009 , H01H61/04 , H01H2001/0042 , H01H2001/0063 , H01H2001/0089 , H01H2059/0072 , H01H2061/006 , H01L23/3735 , H01L23/522 , H01L27/1203 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H02N1/006 , H02N10/00 , Y10T29/49222 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于制造三层横梁MEMS器件的方法，包括：在衬底上淀积牺牲层(310)，和移去牺牲层(310)上的第一导电层的一部分来形成第一导电微型结构(312)；在第一导电微型结构(312)、牺牲层(310)和衬底(300)上淀积结构层(322)，并且形成一个穿过结构层(322)到达第一导电微型结构(312)的通路；在结构层(322)上和通路中淀积第二导电层(336)；通过移去第二导电层(336)的一部分来形成第二导电微型结构(324)，其中第二导电微型结构(324)通过该通路与第一导电微型结构(312)电通信；并且移去足够量的牺牲层(310)以使第一导电微型结构(312)和该衬底分开，其中在第一端由衬底支撑结构层(322)且在相对的第二端在衬底的上方自由悬挂。
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