公开(公告)号：CN1409118A

公开(公告)日：2003-04-09

申请号：CN02143502.2

申请日：2002-09-26

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 斎藤正勝 ,  田中茂德 ,  池田由夫

IPC: G01P15/12

CPC classification number: G01P15/18 ,  B81B3/0078 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/053 ,  B81B2203/058 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123 ,  G01P2015/084 ,  G01P2015/0842

Abstract: 本发明提供了一种超小型和薄的半导体加速度传感器，具有高的灵敏度。加速度传感器具有一质量部分形成在硅半导体衬底的中心部分，一框架形成衬底的周边部分，薄的弹性支撑臂，位于质量部分和框架的上部并连接质量部分和框架，许多对压敏电阻分布在弹性支撑臂的上表面侧。在质量部分中形成了许多凹进部分，它们从它的边缘向它的中心凹进。每个弹性支撑臂在每个凹进部分的底部与质量部分的上表面连接，弹性支撑臂的各侧与凹进部分的各侧隔离。由于质量部分的体积和弹性支撑臂的长度能够独立地做大，灵敏度能够做得更大。