公开(公告)号：CN100381825C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200510131590.2

申请日：2005-09-29

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 池田由夫 ,  细田雅之 ,  坂口勇夫 ,  斋藤正胜

IPC: G01P15/12 ,  H01L29/84 ,  G01L9/04

CPC classification number: G01P15/18 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123

Abstract: 公开了一种半导体加速度传感器，其在X、Y和Z轴之中的加速度检测灵敏度上具有较小的差异，并且具有较高的检测灵敏度。该加速度传感器具有在其中心的块部分，围绕该块部分的支撑框架，以及连接该块部分和支撑框架的多个挠性臂。挠性臂在两端具有宽部，以及在该宽部之间的窄部。压电电阻限制地提供在该挠性臂的宽部的顶面区域内，并且在该块部分/支撑框架上布置连接金属线和压电电阻的通孔。该多个挠性臂相对于该块部分的中心是对称的，并且每个挠性臂相对于该挠性臂的中心线是对称的。

公开(公告)号：CN100565211C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200480038743.2

申请日：2004-12-24

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 武枪德久 ,  池田由夫

IPC: G01P15/12 ,  G01P15/18

CPC classification number: G01P15/18 ,  G01P15/123 ,  G01P2015/084 ,  G01P2015/0842

Abstract: 提供一种半导体型三轴加速度传感器，其抗冲击性高，X轴、Y轴和Z轴压电电阻输出之间的差异小，尺寸小，灵敏度高，输出高。挠性臂由挠性加宽部分和挠性平行部分构成。挠性加宽部分具有最大应力部分。压电电阻排列在挠性臂的上表面上以使压电电阻的一端位于最大应力部分。Z轴压电电阻的位置靠近挠性臂的宽度中心线，而X轴和Y轴压电电阻远离宽度中心线。而且，Z轴压电电阻沿着挠性臂的长度方向从最大应力部分移动以减小X轴、Y轴和Z轴压电电阻之间的输出差。

公开(公告)号：CN1898571A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200480038743.2

申请日：2004-12-24

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 武枪德久 ,  池田由夫

IPC: G01P15/12 ,  G01P15/18

CPC classification number: G01P15/18 ,  G01P15/123 ,  G01P2015/084 ,  G01P2015/0842

Abstract: 提供一种半导体型三轴加速度传感器，其抗冲击性高，X轴、Y轴和Z轴压电电阻输出之间的差异小，尺寸小，灵敏度高，输出高。挠性臂由挠性加宽部分和挠性平行部分构成。挠性加宽部分具有最大应力部分。压电电阻排列在挠性臂的上表面上以使压电电阻的一端位于最大应力部分。Z轴压电电阻的位置靠近挠性臂的宽度中心线，而X轴和Y轴压电电阻远离宽度中心线。而且，Z轴压电电阻沿着挠性臂的长度方向从最大应力部分移动以减小X轴、Y轴和Z轴压电电阻之间的输出差。

公开(公告)号：CN1776434A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200510131590.2

申请日：2005-09-29

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 池田由夫 ,  细田雅之 ,  坂口勇夫 ,  斋藤正胜

IPC: G01P15/12 ,  H01L29/84 ,  G01L9/04

CPC classification number: G01P15/18 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123

Abstract: 公开了一种半导体加速度传感器，其在X、Y和Z轴之中的加速度检测灵敏度上具有较小的差异，并且具有较高的检测灵敏度。该加速度传感器具有在其中心的块部分，围绕该块部分的支撑框架，以及连接该块部分和支撑框架的多个挠性臂。挠性臂在两端具有宽部，以及在该宽却之间的窄部。压电电阻限制地提供在该挠性臂的宽部的顶面区域内，并且在该块部分/支撑框架上布置连接金属线和压电电阻的通孔。该多个挠性臂相对于该块部分的中心是对称的，并且每个挠性臂相对于该挠性臂的中心线是对称的。

公开(公告)号：CN1409118A

公开(公告)日：2003-04-09

申请号：CN02143502.2

申请日：2002-09-26

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 斎藤正勝 ,  田中茂德 ,  池田由夫

IPC: G01P15/12

CPC classification number: G01P15/18 ,  B81B3/0078 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/053 ,  B81B2203/058 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123 ,  G01P2015/084 ,  G01P2015/0842

Abstract: 本发明提供了一种超小型和薄的半导体加速度传感器，具有高的灵敏度。加速度传感器具有一质量部分形成在硅半导体衬底的中心部分，一框架形成衬底的周边部分，薄的弹性支撑臂，位于质量部分和框架的上部并连接质量部分和框架，许多对压敏电阻分布在弹性支撑臂的上表面侧。在质量部分中形成了许多凹进部分，它们从它的边缘向它的中心凹进。每个弹性支撑臂在每个凹进部分的底部与质量部分的上表面连接，弹性支撑臂的各侧与凹进部分的各侧隔离。由于质量部分的体积和弹性支撑臂的长度能够独立地做大，灵敏度能够做得更大。