一种半导体器件及其制造方法和电子装置

    公开(公告)号:CN107416761A

    公开(公告)日:2017-12-01

    申请号:CN201610343965.X

    申请日:2016-05-23

    Inventor: 李凤莲 倪景华

    CPC classification number: B81C1/00619 B81B1/004 B81C1/00396

    Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法和电子装置。所述方法包括:提供晶圆,所述晶圆具有第一表面和与之相对的第二表面,在所述第一表面上形成有前端器件,在所述第二表面上形成具有若干第一开口的第一掩膜层,其中所述晶圆的第二表面从所述晶圆的中心由内向外至少划分为第一区域和第二区域;在所述第一掩膜层上以及所述第二表面上形成第二掩膜层;图案化所述第二掩膜层,以露出所述第二区域中的所述第一开口;以露出的所述第一开口为掩膜蚀刻所述晶圆,以在第二区域中形成若干凹槽;去除剩余的所述第二掩膜层;以所述第一区域中的所述第一开口为掩膜原位蚀刻所述晶圆,以在所述第一区域和所述第二区域中形成深度一致的图案。

    一种微通道阵列及其制备方法

    公开(公告)号:CN106517083A

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:CN201610998732.3

    申请日:2016-11-11

    CPC classification number: B81C3/008 B81B1/004 B81C1/00214

    Abstract: 本发明是关于一种微通道阵列及其制备方法,制备方法包括:一次拉丝、一次排棒、二次拉丝、二次排棒、三次拉丝、成型,根据三次拉丝的缩小倍数Z1计算微通道阵列中微通道的孔直径;根据第三次拉丝的缩小倍数Z2,计算第三复丝棒中第一复丝和第二复丝的排列顺序,所述的计算的方法为,第三次拉丝的缩小倍数为Z2,则所述的微通道阵列坯体中每个正六边形的对边距Y3等于Y2/Z2,所述的孔间距d1为Y3的X倍,则所述的第三复丝棒中的相邻两个第一复丝由X-1个第二复丝隔开,所述的X为正整数,所述的X-1为X的整数部分减1得到的自然数。本发明提出的制备方法,制备微孔直径与孔间距可控制的微通道阵列,更加适于工业化生产。

    检测抗原抗体特异性结合的纳米通道及其制备方法和检测方法

    公开(公告)号:CN105866398A

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201610243172.0

    申请日:2016-04-19

    Applicant: 东南大学

    CPC classification number: G01N33/48721 B81B1/004

    Abstract: 本发明提供一种纳米笼结构的纳米通道,包括呈三明治结构的顶部SiN薄膜层、中间SiO2夹层和底部SiN薄膜层;所述顶部SiN薄膜层上加工有一个孔面积略大于待测抗原的最大截面小于待测抗体的最小截面的小纳米孔,所述底部SiN薄膜层上与小纳米孔轴向对齐处加工有一个孔径大于小纳米孔的大纳米孔,所述小纳米孔和大纳米孔之间的SiO2被腐蚀成中空纳米笼结构。将纳米笼结构纳米通道的两端连接两个充满离子溶液的液池单元,将抗原和抗体添加同一液池中,即靠近小纳米孔一侧。当在正反向电压下都测得离子电流变化时,说明抗原和抗体没有特异性结合。如果只在正向电压下测得离子电流变化,说明抗原抗体发生特异性结合,由此可以实现对抗原或抗体分子的辨识检测。

    用于制造微机械部件的方法和微机械部件

    公开(公告)号:CN104843635B

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:CN201510086498.2

    申请日:2015-02-17

    Inventor: D·哈贝雷尔

    Abstract: 本发明涉及一种用于制造微机械部件的方法以及一种微机械部件。方法包括以下步骤:提供具有第一外表面和第二外表面的衬底,第二外表面背离第一外表面;构造穿过衬底从衬底的第一外表面直到衬底的第二外表面的通孔;在衬底的第二外表面上安装光学功能层,其中,光学功能层遮盖通孔;在衬底的第一外表面处如此移除衬底的第一区段,使得形成相对于衬底的第二外表面倾斜的第三外表面,第三外表面背离衬底的第二外表面,其中,倾斜的第三外表面包围通孔;通过分离衬底的具有通孔的第一部分和光学功能层的安装在第一部分处的第二部分与衬底的剩余部和光学功能层的剩余部来分离微机械部件。

    一种金属微结构及其制作方法

    公开(公告)号:CN105858591A

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201610188420.6

    申请日:2016-03-29

    CPC classification number: B81C1/00087 B81B1/004

    Abstract: 本发明提供了一种金属微结构及其制作方法,其中方法首先在一平整的基片的表面涂覆一层光刻胶,并对光刻胶进行曝光、显影,以在基片的表面形成光刻胶图形,然后令基片发生形变,以使得所述光刻胶图形随所述基片一同发生形变,接着在基片表面上的非光刻胶图形处,进行金属镀膜,最后去除光刻胶和基片,得到金属微结构。本发明实现了具有不同轴线方向通孔的金属微结构,其在光学成像领域有重要应用价值。

    一种阶梯型微纳米尺度槽道模型及其制备方法

    公开(公告)号:CN108238583A

    公开(公告)日:2018-07-03

    申请号:CN201611214759.5

    申请日:2016-12-26

    Inventor: 郝鹏飞 何枫 高叶

    CPC classification number: B81C1/00 B81B1/004 B81C1/00015 B81C1/00055 B82B1/00

    Abstract: 本发明提供了一种阶梯型微纳米尺度槽道模型及其制备方法,该阶梯型微纳米尺度槽道模型包括基底(9),基底(9)的上表面内含有依次连通的微槽道发展段(3)、纳米槽道(4)和微槽道测量段(5),基底(9)还设有通孔状的入口(1)和出口(7),纳米槽道(4)的底面到基底(9)的上表面的距离小于微槽道发展段(3)的底面到基底(9)的上表面的距离,纳米槽道(4)的底面到基底(9)的上表面的距离小于微槽道测量段(5)的底面到基底(9)的上表面的距离。该阶梯型微纳米尺度槽道模型结构简单,通过两次刻蚀的刻蚀方法可以实现纳米级槽道的制备,同时可以通过微槽道测量段内的流动可视化测量得到纳米槽道内部的流动速度。

    微机电系统器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN107285269A

    公开(公告)日:2017-10-24

    申请号:CN201710488194.8

    申请日:2017-06-23

    Inventor: 黄河

    CPC classification number: B81B1/004 B81C1/00214

    Abstract: 本发明公开了一种微机电系统器件,包括衬底和功能薄膜层,所述衬底包括第一表面、第二表面和背通孔,所述第一表面和所述第二表面相对,所述功能薄膜层设置在所述第一表面上,所述背通孔贯穿所述第一表面和所述第二表面,所述功能薄膜层具有多个第一通孔,所述第一通孔与所述背通孔连通。本发明还公开了一种微机电系统器件的制备方法。本发明中的微机电系统器件成本低,可用于制作流体传感器和生物分子筛等器件,其衬底采用普通硅片即可,制备工艺步骤少,便于优化器件性能,达到较高的良率,均采用干法工艺进行刻蚀,具有较好的兼容性。

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