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公开(公告)号：CN105384141A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510553886.7
申请日：2015-09-02
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00182 , B81C2201/019
Abstract: 本发明涉及MEMS器件和制造MEMS器件的方法。一种用于制造MEMS器件的方法包括形成半导体层堆叠，该半导体层堆叠至少包括第一单晶半导体层、第二单晶半导体层和第三单晶半导体层，该第二单晶半导体层在第一和第三单晶半导体层之间形成。第二单晶半导体层的半导体材料与第一和第三单晶半导体层的半导体材料不同。在形成半导体层堆叠之后，第一和第三单晶半导体层中的每个的至少部分同时被刻蚀。
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公开(公告)号：CN110544690A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910457467.1
申请日：2019-05-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L27/08 , H01L27/06 , H01L21/762 , H02M3/00
Abstract: 本发明涉及具有电阻的半导体装置。本公开内容涉及一种半导体装置（100），其具有第一导电类型的半导体衬底（102）以及在所述半导体衬底（102）上的第二导电类型的半导体层（104），其中所述第二导电类型不同于所述第一导电类型。此外，所述半导体装置（100）具有绝缘结构（106），所述绝缘结构使所述半导体层（104）的第一区域（1041）与所述半导体层（104）的第二区域（1042）电绝缘。扁平沟道绝缘结构（108）从所述半导体层（104）的表面（110）竖直地延伸到所述半导体层（104）的第一区域（1041）中。在所述扁平沟槽绝缘结构（108）上构成有电阻（112）。
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公开(公告)号：CN104671186B
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201410694629.0
申请日：2014-11-27
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B3/0086 , B81B2201/0207 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2201/0292 , B81B2203/0118 , B81B2203/0307 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , G01H1/00 , G01H11/06 , G01L9/0072 , G01L9/12 , G01N27/223 , G01P15/125
Abstract: MEMS器件包括固定电极和与固定电极隔离且间隔开一定距离而布置的活动电极。活动电极通过包括绝缘材料的一个或多个隔离件对着固定电极悬置，其中，活动电极被横向地附加于所述一个或多个隔离件。
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公开(公告)号：CN104671186A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410694629.0
申请日：2014-11-27
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B3/0086 , B81B2201/0207 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2201/0292 , B81B2203/0118 , B81B2203/0307 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , G01H1/00 , G01H11/06 , G01L9/0072 , G01L9/12 , G01N27/223 , G01P15/125
Abstract: MEMS器件包括固定电极和与固定电极隔离且间隔开一定距离而布置的活动电极。活动电极通过包括绝缘材料的一个或多个隔离件对着固定电极悬置，其中，活动电极被横向地附加于所述一个或多个隔离件。
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公开(公告)号：CN104078342A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410112989.5
申请日：2014-03-25
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L23/367
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/743 , H01L29/0653 , H01L29/407 , H01L29/41775 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/66734 , H01L29/7813 , H01L2924/0002 , H01L21/76898 , H01L29/42368 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种沟槽电极布置。一种方法包括：形成从半导体本体的第一表面延伸到半导体本体中的沟槽，以使得具有第一沟槽区段和邻接于第一沟槽区段的至少一个第二沟槽区段，其中第一沟槽区段比第二沟槽区段更宽。在至少一个第二沟槽区段中形成第一电极，并且由第一电介质层将第一电极与半导体本体的半导体区域介电绝缘。在该至少一个第二沟槽区段中，在第一电极上形成电极间电介质层。在电极间电介质层上的至少一个第二沟槽区段中以及在第一沟槽区段中形成第二电极，以使得由第二电介质层将至少在第一沟槽区段中的第二电极与半导体本体介电绝缘。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107644912B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201710595467.9
申请日：2017-07-20
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开包括晶体管阵列和终止区的半导体器件以及制造这样的半导体器件的方法。一种在具有第一主表面的半导体衬底中的半导体器件包括晶体管阵列和终止区。该晶体管阵列包括：源极区、漏极区、主体区、漂移区域以及在主体区处的栅极电极。该栅极电极被配置成控制主体区中的沟道的导电性。沿着第一水平方向将该主体区和漂移区域安置在源极区和漏极区之间。该晶体管阵列进一步包括漂移区域中的第一场板沟槽。该第一场板沟槽的纵轴在第一水平方向上延伸。该半导体器件进一步包括第二场板沟槽，该第二场板沟槽的纵轴在垂直于第一方向的第二水平方向上延伸。
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公开(公告)号：CN106098774B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201610275889.3
申请日：2016-04-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及包括场效应晶体管的半导体器件及制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括在具有第一主表面的半导体衬底中的场效应晶体管。该场效应晶体管包括源极区域、漏极区域、体区域和在体区域处的栅电极。栅电极被配置用于控制形成在体区域中的沟道的导电性，并且栅电极被设置在栅极沟槽中。体区域沿源极区域和漏极区域之间的第一方向设置，第一方向平行于第一主表面。体区域具有沿第一方向延伸的脊形状，体区域邻近于源极区域和漏极区域。半导体器件进一步包括源极接触和体接触，源极接触电连接到源极端子，体接触电连接到源极接触和体区域。
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公开(公告)号：CN105384141B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201510553886.7
申请日：2015-09-02
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及MEMS器件和制造MEMS器件的方法。一种用于制造MEMS器件的方法包括形成半导体层堆叠，该半导体层堆叠至少包括第一单晶半导体层、第二单晶半导体层和第三单晶半导体层，该第二单晶半导体层在第一和第三单晶半导体层之间形成。第二单晶半导体层的半导体材料与第一和第三单晶半导体层的半导体材料不同。在形成半导体层堆叠之后，第一和第三单晶半导体层中的每个的至少部分同时被刻蚀。
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公开(公告)号：CN107644912A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710595467.9
申请日：2017-07-20
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L29/7833 , H01L29/0653 , H01L29/1095 , H01L29/41766 , H01L29/41791 , H01L29/66575 , H01L29/7851
Abstract: 本发明公开包括晶体管阵列和终止区的半导体器件以及制造这样的半导体器件的方法。一种在具有第一主表面的半导体衬底中的半导体器件包括晶体管阵列和终止区。该晶体管阵列包括：源极区、漏极区、主体区、漂移区域以及在主体区处的栅极电极。该栅极电极被配置成控制主体区中的沟道的导电性。沿着第一水平方向将该主体区和漂移区域安置在源极区和漏极区之间。该晶体管阵列进一步包括漂移区域中的第一场板沟槽。该第一场板沟槽的纵轴在第一水平方向上延伸。该半导体器件进一步包括第二场板沟槽，该第二场板沟槽的纵轴在垂直于第一方向的第二水平方向上延伸。
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公开(公告)号：CN103681864B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310443573.7
申请日：2013-09-26
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L21/823412 , H01L21/823481 , H01L21/823487 , H01L27/0883 , H01L29/0653 , H01L29/0696 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/66734 , H01L29/7803 , H01L29/7809 , H01L29/7828
Abstract: 一种半导体器件包括晶体管，其包括源极区域，漏极区域，和栅极电极。栅极电极被设置在布置于半导体衬底的顶部表面中的第一沟槽中。该器件进一步包括控制电极。该控制电极被设置在布置于半导体衬底的顶部表面中的第二沟槽中。该第二沟槽具有与第一沟槽的第一形状不同的第二形状。
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