公开(公告)号：CN110544690B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN201910457467.1

申请日：2019-05-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.迈泽 ,  G.科茨洛夫斯基 ,  T.施勒泽

IPC: H01L27/08 ,  H01L27/06 ,  H01L21/762 ,  H02M3/00

Abstract: 本发明涉及具有电阻的半导体装置。本公开内容涉及一种半导体装置（100），其具有第一导电类型的半导体衬底（102）以及在所述半导体衬底（102）上的第二导电类型的半导体层（104），其中所述第二导电类型不同于所述第一导电类型。此外，所述半导体装置（100）具有绝缘结构（106），所述绝缘结构使所述半导体层（104）的第一区域（1041）与所述半导体层（104）的第二区域（1042）电绝缘。扁平沟道绝缘结构（108）从所述半导体层（104）的表面（110）竖直地延伸到所述半导体层（104）的第一区域（1041）中。在所述扁平沟槽绝缘结构（108）上构成有电阻（112）。

公开(公告)号：CN110010686A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811531739.X

申请日：2018-12-14

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： G.科茨洛夫斯基 ,  A.迈泽

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开内容涉及一种平面式场效应晶体管（100）。所述平面式场效应晶体管（100）具有在半导体本体（112）的第一表面（106）上在沟道区域（104）和漏极连接端（D）之间的漏极扩展区域（102）。此外，所述平面式场效应晶体管（100）具有第一电极部分（108）和第二电极部分（110），其横向相互间隔开，其中，所述第一电极部分（108）作为栅电极布置在所述沟道区域（104）之上，所述第二电极部分（110）布置在所述漏极扩展区域（102）之上并且与所述第一电极部分（108）电分离。

公开(公告)号：CN110544690A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201910457467.1

申请日：2019-05-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.迈泽 ,  G.科茨洛夫斯基 ,  T.施勒泽

IPC: H01L27/08 ,  H01L27/06 ,  H01L21/762 ,  H02M3/00

Abstract: 本发明涉及具有电阻的半导体装置。本公开内容涉及一种半导体装置（100），其具有第一导电类型的半导体衬底（102）以及在所述半导体衬底（102）上的第二导电类型的半导体层（104），其中所述第二导电类型不同于所述第一导电类型。此外，所述半导体装置（100）具有绝缘结构（106），所述绝缘结构使所述半导体层（104）的第一区域（1041）与所述半导体层（104）的第二区域（1042）电绝缘。扁平沟道绝缘结构（108）从所述半导体层（104）的表面（110）竖直地延伸到所述半导体层（104）的第一区域（1041）中。在所述扁平沟槽绝缘结构（108）上构成有电阻（112）。