公开(公告)号：CN104425569A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410459581.5

申请日：2014-09-11

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R.埃斯特夫 ,  J.康拉特 ,  D.屈克 ,  D.拉福雷 ,  C.乌夫拉尔德 ,  R.鲁普 ,  A.弗克尔 ,  W.维尔纳

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/47 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及半导体器件、结型场效应晶体管和垂直场效应晶体管。根据实施例的半导体器件至少部分地被布置在衬底中或衬底上并且包含形成台面的凹槽，其中该台面沿着到衬底中的方向延伸到凹槽的底平面并且包含第一导电类型的半导体材料，台面的半导体材料至少局部地包含第一掺杂浓度，该第一掺杂浓度不会比底平面更远地延伸到衬底中。该半导体器件进一步包含沿着台面的侧墙至少部分地被布置的导电结构，该导电结构与台面的半导体材料形成肖特基或类肖特基的电接触，其中衬底包括第一导电类型的半导体材料，该第一导电类型的半导体材料至少局部地包括沿着到衬底中的台面的投影的不同于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度。

公开(公告)号：CN104425569B

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201410459581.5

申请日：2014-09-11

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R.埃斯特夫 ,  J.康拉特 ,  D.屈克 ,  D.拉福雷 ,  C.乌夫拉尔德 ,  R.鲁普 ,  A.弗克尔 ,  W.维尔纳

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/47 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及半导体器件、结型场效应晶体管和垂直场效应晶体管。根据实施例的半导体器件至少部分地被布置在衬底中或衬底上并且包含形成台面的凹槽，其中该台面沿着到衬底中的方向延伸到凹槽的底平面并且包含第一导电类型的半导体材料，台面的半导体材料至少局部地包含第一掺杂浓度，该第一掺杂浓度不会比底平面更远地延伸到衬底中。该半导体器件进一步包含沿着台面的侧墙至少部分地被布置的导电结构，该导电结构与台面的半导体材料形成肖特基或类肖特基的电接触，其中衬底包括第一导电类型的半导体材料，该第一导电类型的半导体材料至少局部地包括沿着到衬底中的台面的投影的不同于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度。