公开(公告)号：CN104835820B

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201510012979.9

申请日：2015-01-09

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 齐藤俊

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L27/085 ,  H01L21/77 ,  H02M3/155

CPC classification number: H01L27/0623 ,  H01L27/098 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/735 ,  H01L29/808

Abstract: 本发明提供一种不使用电阻分压电路能够实现输入电压检测功能的半导体装置、开关电源用控制IC以及开关电源装置。在启动元件的漏区101内部设置有由p型区域110、集电区111以及发射区112构成的npn型元件83。在第一层间绝缘膜107上设置有npn型元件83的集电极布线121、兼作npn型元件83的发射极布线和启动元件的漏极布线的发射极‑漏极布线122、启动元件的源极布线123、以及启动元件的栅极布线124。在集电极布线121连接有兼作启动元件的输入端子和npn型元件83的输入端子的第一金属布线131。npn型元件83作为用于检测施加在第一金属布线131的输入电压的降低的输入电压检测机构发挥功能。

公开(公告)号：CN106504992B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201610859002.5

申请日：2016-09-28

Applicant: 成都芯源系统有限公司

Inventor： 乔伊·迈克格雷格 ,  郑志星 ,  吉扬永 ,  艾瑞克·布劳恩

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/266 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L27/0928 ,  H01L21/823892 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7322 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835

Abstract: 公开了LDMOS及相关半导体集成电路的制作方法。其中LDMOS器件形成于具有第一掺杂类型的半导体衬底中，该制作方法包括：采用第一掩膜向半导体衬底中注入一系列的杂质，以形成靠近半导体衬底表面且具有第二掺杂类型的第一区域、位于第一区域之下且具有第一掺杂类型的第二区域、以及位于第二区域之下且具有第二掺杂类型的第三区域；采用第二掩膜向半导体衬底中注入杂质，以形成与第一、第二和第三区域毗邻且具有第二掺杂类型的第四区域，其中该第四区域自半导体衬底的表面向下延伸至与第三区域相当的深度；以及采用第三掩膜向第一区域内注入杂质，以形成具有第一掺杂类型的第一阱。

公开(公告)号：CN107887383A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201711081961.X

申请日：2017-11-06

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 黄森 ,  刘新宇 ,  王鑫华 ,  康玄武 ,  魏珂

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/8252 ,  H02M7/00

CPC classification number: H01L27/0623 ,  H01L21/8252 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/7787 ,  H02M7/003

Abstract: 本发明公开了一种GaN基单片功率逆变器及其制作方法，该功率逆变器包括：异质结外延衬底；钝化层，形成于异质结外延衬底之上，在钝化层之间存在多个空心区域；增强型功率三极管结构，形成于若干空心区域，包括：第一源极、第一漏极和第一栅极，该第一源极、第一漏极均与薄势垒层实现欧姆接触，该第一栅极通过位于其下方的第一栅介质层与薄势垒层实现绝缘；以及耗尽型功率三极管结构，形成于其余空心区域，包括：第二源极、第二漏极和第二栅极，该第二源极、第二漏极均与薄势垒层实现欧姆接触，该第二栅极通过位于其下方的第二栅介质层与钝化层实现绝缘或者直接接触钝化层。该功率变换器的制备工艺简单，结构多样化，提高了器件成品率。

公开(公告)号：CN105264666B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201480027380.6

申请日：2014-05-12

Applicant: 埃克隆德创新公司

Inventor： K-H·埃克隆德

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1095 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种横向IGBT晶体管，其包括双极型晶体管和IGFET。横向IGBT包括在IGFET的漏极与双极型晶体管的基极之间的低电阻率连接、以及被布置在IGFET与双极型晶体管之间的隔离层。该新颖的结构提供了抗闩锁且给出较高增益和可靠性的器件。该结构可以利用可在代工厂获得的标准CMOS技术来实现。

公开(公告)号：CN107305888A

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201710258431.1

申请日：2017-04-19

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 木村光德 ,  清水浩史 ,  持木健吾 ,  大河内靖之 ,  山平优 ,  松冈哲矢 ,  福岛和马

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/4012 ,  H01L23/473 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/32 ,  H01L25/07 ,  H01L27/0623 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H02M1/088 ,  H02M7/003 ,  H02M7/537 ,  H02M2001/327 ,  H02P27/06 ,  H01L25/18

Abstract: 电力转换器1的半导体模块11包括彼此并联连接并且被设置在同一引线框16上的IGBT 14和MOSFET 15，所述IGBT 14和MOSFET 15中的任一者是第一切换元件，并且剩下的一个是第二切换元件，并且所述第二切换元件的传导路径被布置在与同一引线框16中的所述第一切换元件的传导路径分开的位置处。

公开(公告)号：CN103546141B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310274870.3

申请日：2013-07-02

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 弗朗茨·赫尔莱尔 ,  安德烈亚斯·迈塞尔 ,  斯特芬·蒂伦

IPC: H03K19/0175 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L27/0623 ,  H01L23/481 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0826 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/7327 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/781 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7824 ,  H01L2924/0002 ,  H03K17/687 ,  H03K19/018507 ,  H03K2217/0063 ,  H03K2217/0072 ,  H03K2217/0081 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了集成半导体装置和具有集成半导体装置的桥接电路。该桥接电路包括具有高侧开关的第一集成半导体装置、具有与高侧开关电连接的低侧开关的第二集成半导体装置、第一电平转换器以及第二电平转换器，该第一电平转换器与高侧开关电连接并且在第一集成半导体装置和第二集成半导体装置的一个中集成，该第二电平转换器与低侧开关电连接并且在第一集成半导体装置和第二集成半导体装置的一个中集成。

公开(公告)号：CN106098627A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610275892.5

申请日：2016-04-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F.霍夫曼 ,  D.曼格 ,  A.普里比尔 ,  M.普罗布斯特 ,  S.特根

IPC: H01L21/8249 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0817 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/7371

Abstract: 本发明公开带有完全自对准的发射极‑硅的BiMOS器件及其制造方法。实施例提供用于制造双极结型晶体管的方法。所述方法包括提供第一传导类型的衬底和布置在所述衬底上的层堆叠，其中层堆叠包括布置在所述衬底的表面区上的第一隔离层、布置在第一隔离层上的牺牲层以及布置在牺牲层上的第二隔离层，其中层堆叠包括通过第二隔离层、牺牲层和第一隔离层直到衬底的表面区形成在层堆叠中的窗口。所述方法进一步包括在层堆叠的窗口之内的衬底上提供第一半导体类型的集电极层。所述方法进一步包括在层堆叠的窗口之内的集电极层上提供第二半导体类型的基极层。所述方法进一步包括在层堆叠的窗口之内的基极层上提供发射极层或包括发射极层的发射极层堆叠。

公开(公告)号：CN105743477A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610079943.7

申请日：2013-07-02

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 弗朗茨·赫尔莱尔 ,  安德烈亚斯·迈塞尔 ,  斯特芬·蒂伦

IPC: H03K17/687 ,  H03K19/0185 ,  H01L23/48 ,  H01L29/423 ,  H01L27/06 ,  H01L27/082 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L27/0623 ,  H01L23/481 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0826 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/7327 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/781 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7824 ,  H01L2924/0002 ,  H03K17/687 ,  H03K19/018507 ,  H03K2217/0063 ,  H03K2217/0072 ,  H03K2217/0081 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种桥接电路。该桥接电路包括具有高侧开关的第一集成半导体装置、具有与高侧开关电连接的低侧开关的第二集成半导体装置、第一电平转换器以及第二电平转换器，该第一电平转换器与高侧开关电连接并且在第一集成半导体装置和第二集成半导体装置的一个中集成，该第二电平转换器与低侧开关电连接并且在第一集成半导体装置和第二集成半导体装置的一个中集成。

公开(公告)号：CN104137251A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201280070852.7

申请日：2012-02-28

Applicant: 新日本无线株式会社

Inventor： 松本英显 ,  山下顺 ,  江刺家健司 ,  杉野高夫

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L27/0262 ,  H01L27/0623

Abstract: 本发明提供一种具备ESD保护元件的半导体装置，其能够以抑制尺寸扩大、不需要附加工序、不会导致半导体装置的性能降低的方式形成，该装置包括：半导体基板(1)、包括由在其上形成的与该基板不同导电型的区域(2)形成的PN结的电路元件(10)、以及其保护元件(11)。该保护元件(11)是由上述区域(2)、与该区域相同导电型的其他区域(6)以及半导体基板(1)形成的晶体管，其发射极与半导体基板(1)连接。

公开(公告)号：CN103972166A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410031282.1

申请日：2014-01-23

Applicant: 飞兆半导体公司

Inventor： 克里斯托弗·纳萨尔 ,  金成龙 ,  史蒂文·莱比格尔 ,  詹姆斯·霍尔

IPC: H01L21/77

CPC classification number: H01L29/66681 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0415 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0635 ,  H01L28/20 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/20 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/7322 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7817

Abstract: 本申请案涉及一种用于使用半导体工艺产生多个半导体装置的方法。在一个一般方面中，一种方法可包含在包含于半导体装置中的横向扩散金属氧化物半导体LDMOS装置的一部分中及电阻器装置的一部分中同时植入第一掺杂剂。所述方法还可包含在所述半导体装置中的所述LDMOS装置的一部分中及双极结型晶体管BJT装置的一部分中同时植入第二掺杂剂。