公开(公告)号：CN118693074A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410825227.3

申请日：2024-06-25

申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所

发明人： 石娅婷 ,  张凯

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/8252 ,  H01L29/51

摘要： 本发明公开了一种基于原位生长SiN技术的GaN单片集成限幅低噪声放大器及其制造方法，在基于原位生长SiN层的GaN基有限势垒异质结外延结构上集成GaN SBD限幅单元和GaN HEMT低噪声放大单元，一方面，通过直接在异质结上原位生长SiN绝缘层，减小界面态密度，促进二维电子气的形成，减少电流崩塌；一方面，利用原位生长SiN层作为低噪放单元中HEMT器件的栅介质层，有效调节HEMT器件的阈值电压，增强限幅低噪放芯片整体的功率处理能力和稳定性。此外，有限势垒异质结极大提高限幅单元的耐功率能力。本发明方法简化了材料生长和芯片制备过程，芯片一致性与可靠性更高。

公开(公告)号：CN118522697A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410510327.7

申请日：2024-04-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郭峻甫 ,  黄冠达 ,  黄昭宪 ,  林立德

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/06

摘要： 本公开的实施例提供了沉积在底部结构上方的保护层，以在上部结构的制造期间保护底部结构。保护层可以在源极/漏极回蚀工艺期间防止STI损失和底部间隔件损失。保护层也可以通过也消除STI损失、鳍侧壁间隔件高度和凹进轮廓的工艺负载或不均匀性来改进工艺均匀性。保护层也可以在半导体鳍回蚀期间减缓鳍侧壁间隔件蚀刻速率，从而改进源极/漏极区域轮廓控制。本申请的实施例还涉及用于制造半导体器件的方法和半导体器件。

公开(公告)号：CN118263246A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410193610.1

申请日：2024-02-21

申请人： 深圳大学

发明人： 刘新科 ,  张雅婷 ,  黄烨莹 ,  蒋忠伟 ,  黎晓华

IPC分类号： H01L27/08 ,  H01L29/06 ,  H01L27/02 ,  H01L21/8252

摘要： 本发明提供了一种立体氮化镓基PN二极管及其制备方法，其中，一种立体氮化镓基PN二极管，包括：外表面间隔设置有若干器件区域的立体衬底、对应设置于各器件区域上的若干器件、覆盖器件表面和立体衬底的非器件区域的互联介质层；各器件包括设置于立体衬底表面的第一介质层、设置于第一介质层背离立体衬底一侧的n‑‑GaN层、设置于n‑‑GaN层上背离立体衬底一侧的阴极和p‑GaN层、设置于p‑GaN层上背离立体衬底一侧的阳极；互联介质层固定有若干互联金属，器件之间对应的阳极通过互联金属连接，器件之间对应的阴极也通过互联金属连接。本发明中的二极管，立体衬底散热性佳，二极管的集成度高，具备更优异的电性能，应用场景更加广泛，提高了器件的性能和寿命。

公开(公告)号：CN118016665B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410423858.2

申请日：2024-04-10

申请人： 山东大学

发明人： 汉多科·林纳威赫 ,  陈思衡 ,  韩吉胜 ,  崔鹏 ,  徐现刚

IPC分类号： H01L27/07 ,  H01L29/778 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/335

摘要： 本发明提供了本发明提供了一种集成SBD的SiC衬底上增强型GaN HEMT器件，属于微电子技术领域。通过在同一SiC衬底上制备出平面型SiC SBD和增强型p‑GaN/AlGaN/GaN HEMT，并将它们反向串联，使得器件获得非破坏性雪崩击穿性能；平面型SiC SBD无需进行离子注入，并且在欧姆电极区域沉积了3C‑SiC外延层，无需高温退火即可实现欧姆接触，从而使得制备得到的增强型GaN HEMT在保证高可靠性和高击穿电压的同时，还具有低成本、制备工艺简单、高性能和高集成度等优势。

公开(公告)号：CN118140312A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202180103558.0

申请日：2021-11-05

申请人： 苏州晶湛半导体有限公司

发明人： 向鹏 ,  程凯

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/66 ,  H01L21/335 ,  H01L21/8252

摘要： 本申请提供了一种HEMT器件及其制作方法，HEMT器件包括：衬底、异质结结构、P型半导体层、第一应力层和/或第二应力层、栅极、源极以及漏极，其中，第一应力层位于P型半导体层的相对两侧壁上，用于在平行衬底所在平面方向对P型半导体层施加压应力，在垂直衬底所在平面方向对P型半导体层施加张应力；第二应力层位于P型半导体层的顶壁，用于在平行衬底所在平面方向对P型半导体层施加压应力。根据本发明的实施例，可以提高P型半导体层中的空穴浓度，且不增加P型半导体层的厚度，不会导致栅极对沟道的控制能力下降。

公开(公告)号：CN116864451B

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202310834356.4

申请日：2023-07-07

申请人： 珠海镓未来科技有限公司

发明人： 吴毅锋 ,  杨超 ,  高吴昊

IPC分类号： H01L21/8252 ,  H01L21/28 ,  H01L27/06 ,  H01L21/266 ,  H01L29/45 ,  H03K17/687

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种共源共栅级联型GaN器件、限流装置及其制备方法。本发明制备集成于共源共栅级联型GaN器件的限流装置时，利用光刻技术在晶圆上形成离子注入区域和非离子注入区域，利用光刻胶作为掩膜材料，通过离子注入工艺去除所述离子注入区域处的2DEG，利用光刻技术在所述晶圆上形成欧姆接触区域，在所述欧姆接触区域上制作欧姆接触电极，最后利用热退火技术对所述欧姆接触电极进行处理。本发明的制备工艺与常用有源区隔离工艺兼容，且能够增加器件在不同工作温度下限流装置的相对稳定性及电阻的功率能力，从整体上优化了EMI控制效果。

公开(公告)号：CN108538866B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN201810607908.7

申请日：2018-06-13

申请人： 中山大学

发明人： 刘扬 ,  赵亚文 ,  李柳暗

IPC分类号： H01L27/144 ,  H01L21/8252

摘要： 发明涉及半导体器件集成的技术领域，更具体地，涉及一种高温环境原位探测GaN基功率器件工作温度的传感器及其制备方法。一种高温环境原位探测GaN基功率器件工作温度的传感器，其中，从下往上依次包括衬底，应力缓冲层，GaN缓冲层，GaN沟道层，AlGaN势垒层，功率器件两端形成源极和漏极以及二极管的一端形成阴极，功率器件栅极区域形成栅极以及二极管另一端形成阳极。本发明器件结构及制备工艺简单，利用二极管电流电压与温度的线性关系，在恒定电压模型下或恒定电流模型下，分别根据电流或电压的变化计算出二极管温度变化。而二极管与功率器件具有相近的温度，在不影响功率器件正常工作的同时能够实现原位监测功率器件温度。

公开(公告)号：CN113571515B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202010358117.2

申请日：2020-04-29

申请人： 广东致能科技有限公司

发明人： 黎子兰 ,  张树昕 ,  陈勘

IPC分类号： H01L27/085 ,  H01L21/8252

摘要： 本申请提供了一种驱动电路、驱动IC以及驱动系统，涉及电子电路技术领域。该驱动电路包括控制模块与驱动信号输出模块，控制模块与驱动信号输出模块电连接，且驱动信号输出模块用于与待驱动器件电连接；其中，驱动信号输出模块包括至少两个晶体管，且至少两个晶体管通过同一衬底外延生长而成；控制模块用于控制至少两个晶体管的关断状态，以控制待驱动器件的工作状态。本申请提供的驱动电路、驱动IC以及驱动系统具有实现了小型化及提高了集成度的优点。

公开(公告)号：CN114855260B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202210316571.0

申请日：2017-09-21

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 桥尾克司 ,  鸿池一晓 ,  柳泽拓弥

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B29/40 ,  C30B29/42 ,  G01R31/26 ,  H01L21/324 ,  H01L21/8252

摘要： 本发明涉及半绝缘性化合物半导体基板和半绝缘性化合物半导体单晶。一种半绝缘性化合物半导体基板，其包含半绝缘性化合物半导体，所述半绝缘性化合物半导体基板被构造为：在具有(100)的面取向的主面上，沿从所述主面的中心起的 方向的四个等效方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值和沿从所述主面的中心起的 方向的四个等效方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值各自为0.1以下。

公开(公告)号：CN117613009A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202311515013.8

申请日：2023-11-11

申请人： 合肥仙湖半导体科技有限公司

发明人： 黄明乐 ,  鲁怀贤 ,  夏元治

IPC分类号： H01L21/8252 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L27/085 ,  H01L29/778

摘要： 本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种低正向导通损耗的增强型器件的制备方法，通过在第一增强型器件结构表面形成第二增强型器件结构，并使得所述第二增强型器件结构的第二源极、第二栅极、第二漏极分别电连接所述第一增强型器件结构的第一源极、第一栅极、第一漏极。使得通过垂直外延的方式，在保持器件面积不变的情况下，使导通电阻降低至原来的一半，大大降低了正向导通时的功耗。且电流密度增加一倍，且保持了寄生电容不增加，大大的提高了GaN材料的电流能力。