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公开(公告)号：CN113423876B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN201980091920.X
申请日：2019-07-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种砷化镓单晶基板，具有圆形主面，其中，所述砷化镓单晶基板在将所述主面的直径表示为D、并且测定了通过将所述砷化镓单晶基板在500℃的熔融氢氧化钾中浸渍10分钟而形成在所述主面上的蚀坑的个数的情况下，以所述主面的中心为中心具有0.2D长度的直径的第一圆区域中的所述蚀坑的个数C1为0以上且10以下。
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公开(公告)号：CN113584593A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110717986.4
申请日：2017-09-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种半绝缘性砷化镓晶体基板，所述半绝缘性砷化镓晶体基板具有主表面，所述主表面具有(100)的平面取向和2Rmm的直径，所述主表面在以在[010]方向上距所述主表面的中心的距离分别为0mm、0.5Rmm和(R‑17)mm的点为中心的三个测量区域中的每一个区域中具有5×107Ω·cm以上的比电阻的平均值和0.50以下的变异系数，所述变异系数通过用比电阻的标准偏差除以比电阻的平均值而得到。
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公开(公告)号：CN110114519A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201880005481.1
申请日：2018-07-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/40
Abstract: 本发明公开了一种磷化铟单结晶体，所述磷化铟单结晶体具有小于1×1016个原子·cm-3的氧浓度，并且包含具有圆柱形状的直体部，其中所述直体部的直径为大于或等于100mm且小于或等于150mm，或者大于100mm且小于或等于150mm。本发明公开了一种磷化铟单结晶衬底，所述磷化铟单结晶衬底具有小于1×1016个原子·cm-3的氧浓度，其中所述磷化铟单结晶衬底的直径为大于或等于100mm且小于或等于150mm，或者大于100mm且小于或等于150mm。
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公开(公告)号：CN102272359B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201080004316.8
申请日：2010-01-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 提供一种可通过较简单的构造获得良好品质的单晶的单晶制造装置、单晶的制造方法及单晶，单晶制造装置(1)将坩埚(4)中保持的原料加热熔化后，使其从一个方向凝固，从而制造出单晶，具有安瓿(3)及坩埚(4)、底座(2)、加热器(5)，底座(2)支撑安瓿(3)，加热器(5)用于加热安瓿(3)及坩埚(4)，构成底座(2)的材料的导热率为0.5W/(m·K)以上、应形成的单晶的导热率的值以下，构成底座(2)的材料中，波长为1600nm以上、2400nm以下的光相对于厚4mm的该材料的透光率为10％以下。
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公开(公告)号：CN119768572A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202380061451.3
申请日：2023-04-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/40
Abstract: 本发明的磷化铟单晶衬底具有圆形的主表面，上述主表面被格子间距为1mm的正方格子假想地划分。上述正方格子由沿着第一方向和与上述第一方向正交的第二方向存在的多个格子点构成。由在各上述格子点测定的位错密度构成的集合分别具有作为上述集合的平均值的第一整面平均值和作为上述集合的标准偏差的第一整面标准偏差，并且各上述位错密度被分类为第一级别、第二级别和第三级别中的任一个。测定出被分类为上述第二级别的位错密度的格子点存在于夹在第一正方区域的外轮廓线和第二正方区域的外轮廓线之间的区域内，并且由被分类为第二级别的位错密度构成的子集的平均值即第二平均值是由被分类为第一级别的位错密度构成的子集的平均值即第一平均值的4.0倍以上且10.0倍以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114855260B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210316571.0
申请日：2017-09-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B11/00 , C30B29/40 , C30B29/42 , G01R31/26 , H01L21/324 , H01L21/8252
Abstract: 本发明涉及半绝缘性化合物半导体基板和半绝缘性化合物半导体单晶。一种半绝缘性化合物半导体基板，其包含半绝缘性化合物半导体，所述半绝缘性化合物半导体基板被构造为：在具有(100)的面取向的主面上，沿从所述主面的中心起的 方向的四个等效方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值和沿从所述主面的中心起的 方向的四个等效方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值各自为0.1以下。
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公开(公告)号：CN110621813B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201780090780.5
申请日：2017-09-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种半绝缘性化合物半导体基板，其包含半绝缘性化合物半导体，所述半绝缘性化合物半导体基板被构造为：在具有(100)的面取向的主面上，沿从所述主面的中心起的 方向的四个等效方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值和沿从所述主面的中心起的 方向的四个等效方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值各自为0.1以下。
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公开(公告)号：CN112204175A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201880093818.9
申请日：2018-08-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 提供一种磷化铟单晶，所述磷化铟单晶包含具有圆柱形状的直体部，其中外周部中在切线方向上的残余应变为压缩应变，所述外周部在位于从所述直体部的外周面起朝中心轴向内10mm处的内周面与位于从所述外周面起向内5mm处的位置之间延伸。还提供一种磷化铟单晶衬底，其中外周部中在切线方向上的残余应变为压缩应变，所述外周部在位于从外周起朝中心向内10mm处的内周与位于从所述外周起向内5mm处的位置之间延伸。
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公开(公告)号：CN110114519B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201880005481.1
申请日：2018-07-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/40
Abstract: 本发明公开了一种磷化铟单结晶体，所述磷化铟单结晶体具有小于1×1016个原子·cm‑3的氧浓度，并且包含具有圆柱形状的直体部，其中所述直体部的直径为大于或等于100mm且小于或等于150mm，或者大于100mm且小于或等于150mm。本发明公开了一种磷化铟单结晶衬底，所述磷化铟单结晶衬底具有小于1×1016个原子·cm‑3的氧浓度，其中所述磷化铟单结晶衬底的直径为大于或等于100mm且小于或等于150mm，或者大于100mm且小于或等于150mm。
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公开(公告)号：CN110621813A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201780090780.5
申请日：2017-09-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种半绝缘性化合物半导体基板，其包含半绝缘性化合物半导体，所述半绝缘性化合物半导体基板被构造为：在具有(100)的面取向的主面上，沿从所述主面的中心起的 方向的四个等效方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值和沿从所述主面的中心起的 方向的四个等效方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值各自为0.1以下。
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