公开(公告)号：CN113584593A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110717986.4

申请日：2017-09-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 河本真弥 ,  木山诚 ,  石川幸雄 ,  桥尾克司

IPC: C30B29/42 ,  G01R27/08 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20

Abstract: 本发明涉及一种半绝缘性砷化镓晶体基板，所述半绝缘性砷化镓晶体基板具有主表面，所述主表面具有(100)的平面取向和2Rmm的直径，所述主表面在以在[010]方向上距所述主表面的中心的距离分别为0mm、0.5Rmm和(R‑17)mm的点为中心的三个测量区域中的每一个区域中具有5×107Ω·cm以上的比电阻的平均值和0.50以下的变异系数，所述变异系数通过用比电阻的标准偏差除以比电阻的平均值而得到。

公开(公告)号：CN113584593B

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202110717986.4

申请日：2017-09-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 河本真弥 ,  木山诚 ,  石川幸雄 ,  桥尾克司

IPC: C30B29/42 ,  G01R27/08 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20

Abstract: 本发明涉及一种半绝缘性砷化镓晶体基板，所述半绝缘性砷化镓晶体基板具有主表面，所述主表面具有(100)的平面取向和2Rmm的直径，所述主表面在以在[010]方向上距所述主表面的中心的距离分别为0mm、0.5Rmm和(R‑17)mm的点为中心的三个测量区域中的每一个区域中具有5×107Ω·cm以上的比电阻的平均值和0.50以下的变异系数，所述变异系数通过用比电阻的标准偏差除以比电阻的平均值而得到。

公开(公告)号：CN111032930B

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN201780094136.5

申请日：2017-09-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 河本真弥 ,  木山诚 ,  石川幸雄 ,  桥尾克司

IPC: C30B29/42

Abstract: 一种半绝缘性砷化镓晶体基板，所述半绝缘性砷化镓晶体基板具有主表面，所述主表面具有以在[010]方向上距所述主表面的中心的距离分别为0mm、0.5Rmm和(R‑17)mm的点为中心的三个测量区域中的每一个区域中具有5×107Ω·cm以上的比电阻的平均值和0.50以下的变异系数，所述变异系数通过用比电阻的标准偏差除以比电阻的平均值而得到。(100)的平面取向和2Rmm的直径，所述主表面在

公开(公告)号：CN111032930A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201780094136.5

申请日：2017-09-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 河本真弥 ,  木山诚 ,  石川幸雄 ,  桥尾克司

IPC: C30B29/42

Abstract: 一种半绝缘性砷化镓晶体基板，所述半绝缘性砷化镓晶体基板具有主表面，所述主表面具有(100)的平面取向和2Rmm的直径，所述主表面在以在[010]方向上距所述主表面的中心的距离分别为0mm、0.5Rmm和(R-17)mm的点为中心的三个测量区域中的每一个区域中具有5×107Ω·cm以上的比电阻的平均值和0.50以下的变异系数，所述变异系数通过用比电阻的标准偏差除以比电阻的平均值而得到。