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公开(公告)号：CN111263833A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201880068736.9
申请日：2018-02-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/40
Abstract: 一种磷化铟晶体基板，所述磷化铟晶体基板具有100mm以上且205mm以下的直径和300μm以上且800μm以下的厚度并且包括平坦部和缺口部中的任一者。在第一平坦区域和第一缺口区域中的任一者中，当硫的原子浓度为2.0×1018cm-3以上且8.0×1018cm-3以下时，所述磷化铟晶体基板具有10cm-2以上且500cm-2以下的平均位错密度，并且当锡的原子浓度为1.0×1018cm-3以上且4.0×1018cm-3以下或者铁的原子浓度为5.0×1015cm-3以上且1.0×1017cm-3以下时，所述磷化铟晶体基板具有500cm-2以上且5000cm-2以下的平均位错密度。
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公开(公告)号：CN110114519A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201880005481.1
申请日：2018-07-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/40
Abstract: 本发明公开了一种磷化铟单结晶体，所述磷化铟单结晶体具有小于1×1016个原子·cm-3的氧浓度，并且包含具有圆柱形状的直体部，其中所述直体部的直径为大于或等于100mm且小于或等于150mm，或者大于100mm且小于或等于150mm。本发明公开了一种磷化铟单结晶衬底，所述磷化铟单结晶衬底具有小于1×1016个原子·cm-3的氧浓度，其中所述磷化铟单结晶衬底的直径为大于或等于100mm且小于或等于150mm，或者大于100mm且小于或等于150mm。
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公开(公告)号：CN119053733A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202280094765.9
申请日：2022-04-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: III‑V族化合物半导体单晶基板是具有圆形的主表面的磷化铟单晶基板，并且具有通过实施下述处理而在上述主表面上观看到的波纹状图案。上述波纹状图案是相当于从波源呈同心圆状扩展的波纹的一部分的图案，上述波源不位于上述主表面。处理：在从25℃的混合液的液面沿深度方向向下10mm的位置水平地配置上述主表面，并且从上述液面向上离开20cm的位置向上述主表面照射1小时以上且2小时以下的500W的反射型白炽灯的光，上述混合液是由10g的氧化铬(VI)、10mL的50质量％浓度的氢氟酸溶液和400mL的纯水构成的。
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公开(公告)号：CN112204175B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201880093818.9
申请日：2018-08-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 提供一种磷化铟单晶，所述磷化铟单晶包含具有圆柱形状的直体部，其中外周部中在切线方向上的残余应变为压缩应变，所述外周部在位于从所述直体部的外周面起朝中心轴向内10mm处的内周面与位于从所述外周面起向内5mm处的位置之间延伸。还提供一种磷化铟单晶衬底，其中外周部中在切线方向上的残余应变为压缩应变，所述外周部在位于从外周起朝中心向内10mm处的内周与位于从所述外周起向内5mm处的位置之间延伸。
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公开(公告)号：CN114855260A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210316571.0
申请日：2017-09-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B11/00 , C30B29/40 , C30B29/42 , G01R31/26 , H01L21/324 , H01L21/8252
Abstract: 本发明涉及半绝缘性化合物半导体基板和半绝缘性化合物半导体单晶。一种半绝缘性化合物半导体基板，其包含半绝缘性化合物半导体，所述半绝缘性化合物半导体基板被构造为：在具有(100)的面取向的主面上，沿从所述主面的中心起的 方向的四个等效方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值和沿从所述主面的中心起的 方向的四个等效方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值各自为0.1以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111263833B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201880068736.9
申请日：2018-02-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/40
Abstract: 一种磷化铟晶体基板，所述磷化铟晶体基板具有100mm以上且205mm以下的直径和300μm以上且800μm以下的厚度并且包括平坦部和缺口部中的任一者。在第一平坦区域和第一缺口区域中的任一者中，当硫的原子浓度为2.0×1018cm‑3以上且8.0×1018cm‑3以下时，所述磷化铟晶体基板具有10cm‑2以上且500cm‑2以下的平均位错密度，并且当锡的原子浓度为1.0×1018cm‑3以上且4.0×1018cm‑3以下或者铁的原子浓度为5.0×1015cm‑3以上且1.0×1017cm‑3以下时，所述磷化铟晶体基板具有500cm‑2以上且5000cm‑2以下的平均位错密度。
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公开(公告)号：CN114855260B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210316571.0
申请日：2017-09-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B11/00 , C30B29/40 , C30B29/42 , G01R31/26 , H01L21/324 , H01L21/8252
Abstract: 本发明涉及半绝缘性化合物半导体基板和半绝缘性化合物半导体单晶。一种半绝缘性化合物半导体基板，其包含半绝缘性化合物半导体，所述半绝缘性化合物半导体基板被构造为：在具有(100)的面取向的主面上，沿从所述主面的中心起的 方向的四个等效方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值和沿从所述主面的中心起的 方向的四个等效方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值各自为0.1以下。
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公开(公告)号：CN110621813B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201780090780.5
申请日：2017-09-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种半绝缘性化合物半导体基板，其包含半绝缘性化合物半导体，所述半绝缘性化合物半导体基板被构造为：在具有(100)的面取向的主面上，沿从所述主面的中心起的 方向的四个等效方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值和沿从所述主面的中心起的 方向的四个等效方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值各自为0.1以下。
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公开(公告)号：CN112204175A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201880093818.9
申请日：2018-08-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 提供一种磷化铟单晶，所述磷化铟单晶包含具有圆柱形状的直体部，其中外周部中在切线方向上的残余应变为压缩应变，所述外周部在位于从所述直体部的外周面起朝中心轴向内10mm处的内周面与位于从所述外周面起向内5mm处的位置之间延伸。还提供一种磷化铟单晶衬底，其中外周部中在切线方向上的残余应变为压缩应变，所述外周部在位于从外周起朝中心向内10mm处的内周与位于从所述外周起向内5mm处的位置之间延伸。
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公开(公告)号：CN110114519B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201880005481.1
申请日：2018-07-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/40
Abstract: 本发明公开了一种磷化铟单结晶体，所述磷化铟单结晶体具有小于1×1016个原子·cm‑3的氧浓度，并且包含具有圆柱形状的直体部，其中所述直体部的直径为大于或等于100mm且小于或等于150mm，或者大于100mm且小于或等于150mm。本发明公开了一种磷化铟单结晶衬底，所述磷化铟单结晶衬底具有小于1×1016个原子·cm‑3的氧浓度，其中所述磷化铟单结晶衬底的直径为大于或等于100mm且小于或等于150mm，或者大于100mm且小于或等于150mm。
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