公开(公告)号：CN101442030B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN200810177769.5

申请日：2008-11-20

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 冈久拓司 ,  川濑智博 ,  上村智喜 ,  西冈志行 ,  荒川聪

IPC分类号： H01L23/00

CPC分类号： H01L29/2003 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

摘要： 本发明提供了一种III族氮化物半导体晶体基板和半导体器件，该III族氮化物半导体晶体基板具有至少25mm且不大于160mm的直径。该III族氮化物半导体晶体基板的电阻率为至少1×10-4Ω·cm且不大于0.1Ω·cm。该III族氮化物半导体晶体沿直径方向的电阻率分布为至少-30％且不大于30％。该III族氮化物半导体晶体沿厚度方向的电阻率分布为至少-16％且不大于16％。

公开(公告)号：CN101440520A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200810177773.1

申请日：2008-11-20

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 冈久拓司 ,  川濑智博 ,  上村智喜 ,  西冈志行 ,  荒川聪

IPC分类号： C30B29/38 ,  C30B25/02 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02576 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： 本发明涉及半导体晶体生长方法、半导体晶体基板及其制造方法。本发明公开了一种III族氮化物半导体晶体的生长方法，其包括步骤：准备下层基板，以及通过气相生长在该下层基板上通过利用四氯化硅(SiCl4)气体作为掺杂气体生长用硅掺杂的第一III族氮化物半导体晶体。第一III族氮化物半导体晶体的生长速率为至少200μm/h且不大于2000μm/h。

公开(公告)号：CN101331591B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200680047480.0

申请日：2006-10-16

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 藤原伸介 ,  上村智喜 ,  冈久拓司 ,  上松康二 ,  奥井学 ,  西冈志行 ,  桥本信

IPC分类号： H01L21/20 ,  C30B29/38 ,  H01L29/201 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L21/02658 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254

摘要： 本发明的AlxGayIn1-x-yN晶体基板(12)具有面积为至少10cm2的主平面(12m)。该主平面(12m)具有位于距离主平面的外围5mm内的外侧区域(12w)，和对应于除了该外侧区域之外的区域的内侧区域(12n)。该内侧区域(12n)具有至少1×102cm-2并且至多1×106cm-2的总位错密度。由此能够提供一种用作半导体器件的基板的具有大尺寸和合适位错密度的AlxGayIn1-x-yN晶体基板、包括该AlxGayIn1-x-yN晶体基板的半导体器件、及其制造方法。

公开(公告)号：CN111263833B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201880068736.9

申请日：2018-02-23

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 西冈志行 ,  鸿池一晓 ,  柳泽拓弥 ,  樋口恭明 ,  羽木良明

IPC分类号： C30B29/40

摘要： 一种磷化铟晶体基板，所述磷化铟晶体基板具有100mm以上且205mm以下的直径和300μm以上且800μm以下的厚度并且包括平坦部和缺口部中的任一者。在第一平坦区域和第一缺口区域中的任一者中，当硫的原子浓度为2.0×1018cm‑3以上且8.0×1018cm‑3以下时，所述磷化铟晶体基板具有10cm‑2以上且500cm‑2以下的平均位错密度，并且当锡的原子浓度为1.0×1018cm‑3以上且4.0×1018cm‑3以下或者铁的原子浓度为5.0×1015cm‑3以上且1.0×1017cm‑3以下时，所述磷化铟晶体基板具有500cm‑2以上且5000cm‑2以下的平均位错密度。

公开(公告)号：CN101440521A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200810177774.6

申请日：2008-11-20

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 冈久拓司 ,  川濑智博 ,  上村智喜 ,  西冈志行 ,  荒川聪

IPC分类号： C30B29/38 ,  C30B25/02 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02576 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： 本发明涉及半导体晶体生长方法、半导体晶体基板及其制造方法。本发明公开了一种III族氮化物半导体晶体的生长方法，其包括步骤：准备下层基板，以及通过气相生长在该下层基板上通过利用四氟化硅作为掺杂气体生长用硅掺杂的III族氮化物半导体晶体。

公开(公告)号：CN111263833A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201880068736.9

申请日：2018-02-23

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 西冈志行 ,  鸿池一晓 ,  柳泽拓弥 ,  樋口恭明 ,  羽木良明

IPC分类号： C30B29/40

摘要： 一种磷化铟晶体基板，所述磷化铟晶体基板具有100mm以上且205mm以下的直径和300μm以上且800μm以下的厚度并且包括平坦部和缺口部中的任一者。在第一平坦区域和第一缺口区域中的任一者中，当硫的原子浓度为2.0×1018cm-3以上且8.0×1018cm-3以下时，所述磷化铟晶体基板具有10cm-2以上且500cm-2以下的平均位错密度，并且当锡的原子浓度为1.0×1018cm-3以上且4.0×1018cm-3以下或者铁的原子浓度为5.0×1015cm-3以上且1.0×1017cm-3以下时，所述磷化铟晶体基板具有500cm-2以上且5000cm-2以下的平均位错密度。

公开(公告)号：CN101847575A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN201010163633.6

申请日：2006-10-16

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 藤原伸介 ,  上村智喜 ,  冈久拓司 ,  上松康二 ,  奥井学 ,  西冈志行 ,  桥本信

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02658 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254

摘要： 本发明提供一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件具有至少400V的耐受电压，所述方法包括步骤：制备AlxGayIn1-x-yN晶体基板(12)，其中0≤x、0≤y并且x+y≤1；以及在所述基板(12)上生长至少一层半导体层(41)，其中所述基板(12)具有面积为至少10cm2的主平面(12m)，所述主平面(12m)具有位于距离所述主平面的外围5mm内的外侧区域(12w)，以及对应于除了所述外侧区域之外的区域的内侧区域(12n)，并且所述内侧区域(12n)具有至少1×102cm-2并且至多1×106cm-2的总位错密度。

公开(公告)号：CN101442030A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200810177769.5

申请日：2008-11-20

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 冈久拓司 ,  川濑智博 ,  上村智喜 ,  西冈志行 ,  荒川聪

IPC分类号： H01L23/00 ,  C30B29/40

CPC分类号： H01L29/2003 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

摘要： 本发明提供了一种Ⅲ族氮化物半导体晶体基板和半导体器件，该Ⅲ族氮化物半导体晶体基板具有至少25mm且不大于160mm的直径。该Ⅲ族氮化物半导体晶体基板的电阻率为至少1×10－4Ω·cm且不大于0.1Ω·cm。该Ⅲ族氮化物半导体晶体沿直径方向的电阻率分布为至少－30％且不大于30％。该Ⅲ族氮化物半导体晶体沿厚度方向的电阻率分布为至少－16％且不大于16％。

公开(公告)号：CN101331591A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200680047480.0

申请日：2006-10-16

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 藤原伸介 ,  上村智喜 ,  冈久拓司 ,  上松康二 ,  奥井学 ,  西冈志行 ,  桥本信

IPC分类号： H01L21/20 ,  C30B29/38 ,  H01L29/201 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L21/02658 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254

摘要： 本发明的AlxGayIn1－x－yN晶体基板(12)具有面积为至少10cm2的主平面(12m)。该主平面(12m)具有位于距离主平面的外围5mm内的外侧区域(12w)，和对应于除了该外侧区域之外的区域的内侧区域(12n)。该内侧区域(12n)具有至少1×102cm－2并且至多1×106cm－2的总位错密度。由此能够提供一种用作半导体器件的基板的具有大尺寸和合适位错密度的AlxGayIn1－x－yN晶体基板、包括该AlxGayIn1－x－yN晶体基板的半导体器件、及其制造方法。