本申请提供了一种HEMT器件及其制作方法，HEMT器件包括：衬底、异质结结构、P型半导体层、第一应力层和/或第二应力层、栅极、源极以及漏极，其中，第一应力层位于P型半导体层的相对两侧壁上，用于在平行衬底所在平面方向对P型半导体层施加压应力，在垂直衬底所在平面方向对P型半导体层施加张应力；第二应力层位于P型半导体层的顶壁，用于在平行衬底所在平面方向对P型半导体层施加压应力。根据本发明的实施例，可以提高P型半导体层中的空穴浓度，且不增加P型半导体层的厚度，不会导致栅极对沟道的控制能力下降。