公开(公告)号：CN103165603B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201210540932.6

申请日：2012-12-14

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： U.格拉泽 ,  F.希尔勒 ,  A.莫德 ,  A.迈泽 ,  J.韦耶斯

IPC: H01L27/06 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L27/0255 ,  H01L27/06 ,  H01L27/0814 ,  H01L29/407 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8725

Abstract: 集成电路的一个实施例包括半导体本体。在所述半导体本体内，第一沟槽区从第一表面延伸进入半导体本体。所述集成电路进一步包括二极管，所述二极管包括阳极区和阴极区。阳极区和阴极区中的一个至少部分地设置在第一沟槽区中。阳极区和阴极区中的另一个包括从第一沟槽区外部邻接所述阳极区和阴极区中的一个的第一半导体区。

公开(公告)号：CN103165603A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210540932.6

申请日：2012-12-14

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： U.格拉泽 ,  F.希尔勒 ,  A.莫德 ,  A.迈泽 ,  J.韦耶斯

IPC: H01L27/06 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L27/0255 ,  H01L27/06 ,  H01L27/0814 ,  H01L29/407 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8725

Abstract: 集成电路的一个实施例包括半导体本体。在所述半导体本体内，第一沟槽区从第一表面延伸进入半导体本体。所述集成电路进一步包括二极管，所述二极管包括阳极区和阴极区。阳极区和阴极区中的一个至少部分地设置在第一沟槽区中。阳极区和阴极区中的另一个包括从第一沟槽区外部邻接所述阳极区和阴极区中的一个的第一半导体区。