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公开(公告)号：CN103165597A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210522047.5
申请日：2012-12-07
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0248 , H01L27/0255
Abstract: 本发明涉及一种包括第一和第二半导体元件的半导体器件。一种半导体器件包括：第一半导体元件，其包括在第一端子与第二端子之间的第一pn结。该半导体器件还包括：半导体元件，其包括在第三端子与第四端子之间的第二pn结。该半导体元件还包括：半导体本体，其包括单片地集成的第一半导体元件和第二半导体元件。第一和第三端子电耦合到第一器件端子。第二和第四端子电耦合到第二器件端子。第一pn结的击穿电压Vbr1的温度系数α1和第二pn结的击穿电压Vbr2的温度系数α2具有相同代数符号并且在T=300K处满足，其中Vbr2
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公开(公告)号：CN103165597B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201210522047.5
申请日：2012-12-07
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0248 , H01L27/0255
Abstract: 本发明涉及一种包括第一和第二半导体元件的半导体器件。一种半导体器件包括：第一半导体元件，其包括在第一端子与第二端子之间的第一pn结。该半导体器件还包括：半导体元件，其包括在第三端子与第四端子之间的第二pn结。该半导体元件还包括：半导体本体，其包括单片地集成的第一半导体元件和第二半导体元件。第一和第三端子电耦合到第一器件端子。第二和第四端子电耦合到第二器件端子。第一pn结的击穿电压Vbr1的温度系数α1和第二pn结的击穿电压Vbr2的温度系数α2具有相同代数符号并且在T=300K处满足 ，其中Vbr2
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公开(公告)号：CN103579224B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201310318437.5
申请日：2013-07-26
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0255 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了ESD保护。本公开的实施例涉及用于电子部件的两级保护装置，以保护防止瞬态干扰。瞬态干扰可以是电流或电压脉冲。瞬态干扰的示例是：静电放电（ESD）脉冲、与切换动作（接通和/或关断）相关的干扰。电子部件可以是半导体部件，并且可以包括一个或多个晶体管和/或集成电路。保护装置被连接至电子部件的至少第一接触部和第二接触部，并且被与要保护的部件基本上并联布置在第一接触部与第二接触部之间。保护装置包括具有至少一个二极管的至少一个第一级和通过至少一个电阻器与第一级分离的第二级。第二级包括至少一个二极管布置，所述至少一个二极管布置具有布置成阴极对阴极的至少两个背对背二极管。
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公开(公告)号：CN105336764A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510469712.2
申请日：2015-08-04
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L29/45 , H01L21/02647 , H01L21/283 , H01L21/302 , H01L21/743 , H01L23/535 , H01L29/0653 , H01L29/0808 , H01L29/0821 , H01L29/417 , H01L29/41708 , H01L29/41766 , H01L29/456 , H01L29/6634 , H01L29/66348 , H01L29/735 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/8611 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L29/02 , H01L29/0603
Abstract: 本发明涉及半导体器件和制造方法。半导体器件包括从第一表面延伸到半导体主体中的沟槽。三元碳化物和三元氮化物的至少一个在沟槽中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103579224A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310318437.5
申请日：2013-07-26
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0255 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了ESD保护。本公开的实施例涉及用于电子部件的两级保护装置，以保护防止瞬态干扰。瞬态干扰可以是电流或电压脉冲。瞬态干扰的示例是：静电放电（ESD）脉冲、与切换动作（接通和/或关断）相关的干扰。电子部件可以是半导体部件，并且可以包括一个或多个晶体管和/或集成电路。保护装置被连接至电子部件的至少第一接触部和第二接触部，并且被与要保护的部件基本上并联布置在第一接触部与第二接触部之间。保护装置包括具有至少一个二极管的至少一个第一级和通过至少一个电阻器与第一级分离的第二级。第二级包括至少一个二极管布置，所述至少一个二极管布置具有布置成阴极对阴极的至少两个背对背二极管。
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公开(公告)号：CN104810813B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201510034329.4
申请日：2015-01-23
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H02H9/04
Abstract: 本发明涉及具有加电模式中的静电放电保护能力的噪声容忍有源钳位。描述包括静电放电（ESD）保护电路、保持断开电路和ESD检测电路的电路。当ESD检测电路检测到ESD事件时，该ESD检测电路被配置为启用ESD保护电路以及禁用保持断开电路两者。
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公开(公告)号：CN103165603B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201210540932.6
申请日：2012-12-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L27/0255 , H01L27/06 , H01L27/0814 , H01L29/407 , H01L29/861 , H01L29/8611 , H01L29/8725
Abstract: 集成电路的一个实施例包括半导体本体。在所述半导体本体内，第一沟槽区从第一表面延伸进入半导体本体。所述集成电路进一步包括二极管，所述二极管包括阳极区和阴极区。阳极区和阴极区中的一个至少部分地设置在第一沟槽区中。阳极区和阴极区中的另一个包括从第一沟槽区外部邻接所述阳极区和阴极区中的一个的第一半导体区。
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公开(公告)号：CN104810813A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510034329.4
申请日：2015-01-23
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H02H9/04
Abstract: 本发明涉及具有加电模式中的静电放电保护能力的噪声容忍有源钳位。描述包括静电放电（ESD）保护电路、保持断开电路和ESD检测电路的电路。当ESD检测电路检测到ESD事件时，该ESD检测电路被配置为启用ESD保护电路以及禁用保持断开电路两者。
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公开(公告)号：CN103165603A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210540932.6
申请日：2012-12-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L27/0255 , H01L27/06 , H01L27/0814 , H01L29/407 , H01L29/861 , H01L29/8611 , H01L29/8725
Abstract: 集成电路的一个实施例包括半导体本体。在所述半导体本体内，第一沟槽区从第一表面延伸进入半导体本体。所述集成电路进一步包括二极管，所述二极管包括阳极区和阴极区。阳极区和阴极区中的一个至少部分地设置在第一沟槽区中。阳极区和阴极区中的另一个包括从第一沟槽区外部邻接所述阳极区和阴极区中的一个的第一半导体区。
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