公开(公告)号：CN109804456B

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN201780062397.9

申请日：2017-08-23

Applicant: 克罗米斯有限公司

Inventor： 弗拉基米尔·奥德诺博柳多夫 ,  迪利普·瑞思布德 ,  奥兹古·阿克塔斯 ,  杰姆·巴斯切里

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/06 ,  H01L29/02 ,  C30B29/00 ,  C30B33/10 ,  C30B33/00

Abstract: 一种功率器件，包括衬底，该衬底包括：多晶陶瓷芯、耦合至所述多晶陶瓷芯的第一粘附层、耦合至所述第一粘附层的阻挡层、耦合至所述阻挡层的键合层以及耦合至所述键合层的实质单晶层。所述功率器件还包括：耦合至所述实质单晶层的缓冲层以及耦合至所述缓冲层的沟道区。所述沟道区包括：第一端、第二端以及设置在所述第一端与第二端之间的中心部。所述沟道区还包括耦合至所述缓冲层的沟道区阻挡层。所述功率器件进一步包括：设置在所述沟道区的第一端的源极接触、设置在所述沟道区的第二端的漏极接触、以及耦合至所述沟道区的栅极接触。

公开(公告)号：CN112236864A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201980037906.1

申请日：2019-06-04

Applicant: 马克西姆综合产品公司

Inventor： T·K·卡斯特罗 ,  M·A·祖尼加 ,  B·法特米扎德赫 ,  A·布兰德 ,  J·夏 ,  R·辛格 ,  M·徐 ,  C-N·倪

IPC: H01L29/02 ,  H01L29/40 ,  H01L29/66

Abstract: 一种横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管包括硅半导体结构和垂直栅极。该垂直栅极包括：(a)第一栅极导体和第二栅极导体，各自在厚度方向上从该硅半导体结构的第一外表面延伸到该硅半导体结构中，(b)第一隔离电介质层，该第一隔离电介质层在该垂直栅极内将该第一栅极导体与该第二栅极导体隔离，以及(c)栅极电介质层，该栅极电介质层将该第一栅极导体和该第二栅极导体中的每一个与该硅半导体结构隔离。

公开(公告)号：CN111863932A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010751738.7

申请日：2020-07-30

Applicant: 中南大学

Inventor： 雷永鹏 ,  王裕超 ,  宋成叶

IPC: H01L29/02 ,  H01L29/12 ,  H01L29/32 ,  H01L29/06 ,  H01L21/76

Abstract: 一种基于富缺陷氧族化合物的肖特基结及其制备方法，所述肖特基结为富缺陷氧族化合物、过渡金属单质和/或合金以及氮掺杂的碳构成的球状复合材料颗粒，富缺陷氧族化合物、过渡金属单质、过渡金属合金以及氮掺杂的碳在颗粒中均匀分布。所述方法为：（1）将富缺陷氧族化合物和锌源加入有机溶液中，搅拌，得溶液A；（2）将2-甲基咪唑有机溶液加入溶液A中，搅拌，过滤，洗涤；（3）分散于有机溶剂，再将过渡金属源有机溶液加入，搅拌，离心，干燥；（4）保护性气氛中，热处理，即成。本发明肖特基结氢析出过电势低、Tafel斜率低、电流密度高、电荷传输阻力低、稳定性好、水电解氢转化率高。本发明工艺简单、成本低、适宜于工业化生产。

公开(公告)号：CN109196650A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201780033921.X

申请日：2017-05-31

Applicant: 宜普电源转换公司

Inventor： 罗伯特·比奇 ,  罗伯特·斯特里特马特 ,  周春华 ,  赵广元 ,  曹建军

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/772 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66 ,  H01L29/02

Abstract: 一种氮化镓(GaN)晶体管，包括两个或更多个绝缘半导体界面区域(绝缘区)。设置在栅极和漏极之间(栅极附近)的第一绝缘区最小化栅极漏电流和栅极附近的场，其导致高栅极-漏极电荷(Qgd)。设置在该第一绝缘区和漏极之间的第二绝缘区(或多个绝缘区)使漏极触点处的电场最小化，并在沟道中提供高密度电荷以实现低导通电阻。

公开(公告)号：CN105047692B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201510315434.5

申请日：2015-06-10

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 闫发旺 ,  张峰 ,  王文宇

IPC: H01L29/02

Abstract: 本发明提供了一种用于高电子迁移率晶体管的衬底，包括支撑衬底、支撑衬底表面的高阻层、高阻层表面的沟道层、以及沟道层表面的势垒层，所述高阻层、沟道层以及势垒层的材料均为氮化物，所述沟道层的材料为掺杂元素浓度为1×1015cm‑3～9×1019cm‑3的GaN材料，所述掺杂元素选自于As和P中的一种，以及两者的混合物。本发明的优点在于，外延生长氮化物沟道层过程中掺入等电子元素砷或磷，以改善材料的微观电子结构，降低缺陷密度，改善晶格完整性，提高晶体质量，从而提高材料的电子特性如电子迁移率、降低方块面电阻等。

公开(公告)号：CN103907191B

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201280026479.5

申请日：2012-06-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R.卡米洛-卡斯蒂洛 ,  E.M.达尔斯特罗姆 ,  R.J.高蒂尔 ,  E.G.格布雷塞拉西 ,  R.A.费尔普斯 ,  石云 ,  A.斯特里克

IPC: H01L29/02

Abstract: 可控硅整流器的装置结构、制造方法、操作方法和设计结构。该方法包括以足以调制可控硅整流器（SCR）的触发电流的水平施加机械应力到SCR的一个区域。该装置和设计结构包括SCR（62），SCR（62）具有阳极（63）、阴极（65）、第一区域（14）和导电类型与第一区域相反的第二区域（16）。SCR的第一和第二区域设置在SCR的阳极和阴极之间的载流通道中。层（26）相对于第一区域设置在半导体衬底（30）的顶表面上，并且构造成使在SCR的第一区域中引起的机械应力处于足以调制SCR的触发电流的水平。

公开(公告)号：CN102959708B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201180032811.4

申请日：2011-06-29

Applicant: 柯立芝照明有限公司

Inventor： M·蒂施勒 ,  P·希克 ,  I·阿什道恩 ,  C·W·辛 ,  P·容维尔特

IPC: H01L29/02 ,  H01L23/488 ,  H01L29/40

CPC classification number: F21K9/66 ,  F21K9/20 ,  F21K9/275 ,  F21K9/278 ,  F21K9/64 ,  F21K9/65 ,  F21V3/02 ,  F21V9/30 ,  F21V23/003 ,  F21V23/02 ,  F21V29/74 ,  F21Y2115/10 ,  G02F1/133603 ,  H01L23/367 ,  H01L23/4985 ,  H01L23/5387 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/156 ,  H01L31/0468 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/28 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/483 ,  H01L33/486 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L51/0097 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10321 ,  H01L2924/10322 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/10324 ,  H01L2924/10328 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10331 ,  H01L2924/10332 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10334 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/381 ,  H02S30/00 ,  H05B33/0854 ,  H05B37/0218 ,  H05B37/0227 ,  H05B37/0245 ,  H05K1/189 ,  H05K3/323 ,  H05K2201/09036 ,  H05K2201/10106 ,  H05K2203/302 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 根据特定实施例，利用压力激活的粘合剂将半导体芯片直接粘合至易弯曲基板，尽管半导体芯片的表面具有任意非平面性或半导体芯片触点非共面。

公开(公告)号：CN104681635A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201510103019.3

申请日：2015-03-09

Applicant: 江苏中科君芯科技有限公司

Inventor： 程炜涛

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/02 ,  H01L29/45

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/456

Abstract: 本发明涉及一种二极管结构，尤其是一种降低阳极空穴注入的二极管结构，属于半导体二极管的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述降低阳极空穴注入的二极管结构，包括半导体基板，所述半导体基板内包括用于形成PN结的P导电区域与N导电区域；在所述P导电区域与N导电区域之间设置有掺杂浓度大于N导电区域的N+区域。本发明通过在P导电区域与N导电区域间设置N+区域，N+区域的掺杂浓度大于N导电区域的掺杂浓度，通过N+区域与P导电区域内空穴的结合，减少进入N导电区域内的空穴注入量，从而能有效降低二极管的动态损耗，结构紧凑，安全可靠。

公开(公告)号：CN103907192A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201280044126.8

申请日：2012-07-13

Applicant: 爱德斯托科技有限公司 ,  爱德斯托科技有限公司法国

Inventor： W·T·李 ,  C·格帕兰 ,  Y·马 ,  J·希尔兹 ,  P·布兰卡德 ,  J·R·詹姆森 ,  F·S·寇山 ,  J·王 ,  M·凯拉姆

IPC: H01L29/02

CPC classification number: H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/142 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1658

Abstract: 本发明涉及一种电阻切换器件（1），其包括下电极(115)、设置在下电极(115)上的切换层(130)和设置在切换层(130)上的上电极(150)。上电极(150)包含存储金属与合金化元素的合金。上电极(150)提供了存储金属的源。存储金属配置成改变切换层(130)的状态。

公开(公告)号：CN102884630A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201080061745.9

申请日：2010-11-08

Applicant: 苏沃塔公司

Inventor： 斯科特·E·汤普森 ,  达莫代尔·R·图马拉帕利

IPC: H01L29/02

CPC classification number: H01L21/823892 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供了一系列新型结构和方法，以降低多种电子设备和系统中的功耗。这些结构和方法中的一些可主要通过重复使用现有的体效应CMOS工艺流程和制造技术来实施，以避免半导体产业和更广泛的电子产业高成本且高风险地切换到替代的技术。如上所述，一些结构和方法涉及深度耗尽通道(DDC)设计，以使基于CMOS的设备具有比传统体效应CMOS更小的σVT，并且能够更精确地设定在通道区域中具有掺杂剂的FET的阈值电压VT。该DDC设计也可具有比传统体效应CMOS晶体管更强的体效应，这使得能够显著地动态控制DDC晶体管中的功耗。