公开(公告)号：CN111200022B

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN201911119708.8

申请日：2019-11-15

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司(DE)

Inventor： C.莱恩德茨 ,  R.埃斯特夫 ,  A.毛德 ,  A.迈泽 ,  B.齐佩利乌斯

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明公开了具有集成的肖特基结的SiC功率半导体器件。提供了SiC器件和对应的制造方法的实施例。在一些实施例中，SiC器件具有在一些栅极沟槽的底部处的屏蔽区以及与在其他栅极沟槽的底部处的SiC材料一起形成的非线性结。在其他实施例中，SiC器件具有在栅极沟槽的底部处并且被布置成行的屏蔽区，所述行在与沟槽的纵向延伸横切的方向上延伸。在又其他实施例中，SiC器件具有屏蔽区和非线性结，并且其中屏蔽区被布置成行，所述行在与沟槽的纵向延伸横切的方向上延伸。

公开(公告)号：CN111200022A

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201911119708.8

申请日：2019-11-15

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： C.莱恩德茨 ,  R.埃斯特夫 ,  A.毛德 ,  A.迈泽 ,  B.齐佩利乌斯

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明公开了具有集成的肖特基结的SiC功率半导体器件。提供了SiC器件和对应的制造方法的实施例。在一些实施例中，SiC器件具有在一些栅极沟槽的底部处的屏蔽区以及与在其他栅极沟槽的底部处的SiC材料一起形成的非线性结。在其他实施例中，SiC器件具有在栅极沟槽的底部处并且被布置成行的屏蔽区，所述行在与沟槽的纵向延伸横切的方向上延伸。在又其他实施例中，SiC器件具有屏蔽区和非线性结，并且其中屏蔽区被布置成行，所述行在与沟槽的纵向延伸横切的方向上延伸。