公开(公告)号：CN116895609A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310240130.1

申请日：2023-03-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢宝仁 ,  安正勋 ,  崔允基

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H10B80/00

Abstract: 一种半导体封装，包括：电路板；中介层结构，在电路板上；第一半导体芯片和第二半导体芯片，在中介层结构上，该第一半导体芯片和该第二半导体芯片电连接到中介层结构并彼此间隔开；以及模制层，在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间，该模制层将第一半导体芯片和第二半导体芯片分离。模制层的侧壁的斜率随着该侧壁远离中介层结构的上侧延伸而保持恒定，并且由模制层的底侧与模制层的侧壁限定的角小于或等于九十度。

公开(公告)号：CN116093053A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202211389731.0

申请日：2022-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢宝仁 ,  安正勋

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31

Abstract: 一种中介结构包括：中介基板；中介贯通电极，在垂直方向上穿透中介基板；再分布结构，在中介基板上并包括连接到中介贯通电极的再分布图案以及在中介基板上在再分布图案的侧表面上的再分布绝缘层；导电柱，在再分布结构上并连接到再分布图案；以及中介绝缘层，在再分布结构上在导电柱的侧表面上。

公开(公告)号：CN107887358B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201710679505.9

申请日：2017-08-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金正雨 ,  金云培 ,  卢宝仁 ,  G.成 ,  朴智镛

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/49 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开了膜型半导体封装以及制造膜型半导体封装的方法。该膜型半导体封装包括布置在膜基板上的金属引线部分、包括焊垫的半导体芯片以及将金属引线部分连接到半导体芯片的焊垫的凸块。凸块包括：金属柱，布置在焊垫上并且包括第一金属；以及焊接部分，布置在金属柱的整个表面上，接合到金属引线部分并且包括第一金属和不同于第一金属的第二金属。

公开(公告)号：CN107887358A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710679505.9

申请日：2017-08-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金正雨 ,  金云培 ,  卢宝仁 ,  G.成 ,  朴智镛

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/49 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开了膜型半导体封装以及制造膜型半导体封装的方法。该膜型半导体封装包括布置在膜基板上的金属引线部分、包括焊垫的半导体芯片以及将金属引线部分连接到半导体芯片的焊垫的凸块。凸块包括：金属柱，布置在焊垫上并且包括第一金属；以及焊接部分，布置在金属柱的整个表面上，接合到金属引线部分并且包括第一金属和不同于第一金属的第二金属。

公开(公告)号：CN103579099A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310328965.9

申请日：2013-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢宝仁 ,  朴善姬 ,  权容焕

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05561 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有多凸点式电气互连件的半导体器件及其制造方法，所述制造半导体器件的方法可以包括：提供具有芯片焊盘的衬底；在所述衬底上形成焊料叠层，所述焊料叠层包括堆叠的至少两个焊料层和插入在所述至少两个焊料层之间的至少一个中间层。可以对所述焊料叠层进行回流焊，从而形成与所述芯片焊盘电连接的凸点叠层。所述凸点叠层可以包括堆叠的至少两个焊料凸点和插入在所述至少两个焊料凸点之间的至少一个中间层。本发明还公开了相关的结构。