公开(公告)号：CN116895609A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310240130.1

申请日：2023-03-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢宝仁 ,  安正勋 ,  崔允基

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H10B80/00

Abstract: 一种半导体封装，包括：电路板；中介层结构，在电路板上；第一半导体芯片和第二半导体芯片，在中介层结构上，该第一半导体芯片和该第二半导体芯片电连接到中介层结构并彼此间隔开；以及模制层，在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间，该模制层将第一半导体芯片和第二半导体芯片分离。模制层的侧壁的斜率随着该侧壁远离中介层结构的上侧延伸而保持恒定，并且由模制层的底侧与模制层的侧壁限定的角小于或等于九十度。

公开(公告)号：CN114975358A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202111587859.3

申请日：2021-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁少锋 ,  安正勋 ,  崔允基

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，包括逻辑单元区和连接区；在连接区上的虚设晶体管；在虚设晶体管上的中间连接层，中间连接层包括电连接到虚设晶体管的连接图案；在中间连接层上的第一金属层；在中间连接层和一部分第一金属层之间的蚀刻停止层，蚀刻停止层覆盖连接图案的顶表面；以及穿透接触，从第一金属层朝衬底的底表面延伸并穿透连接区。

公开(公告)号：CN115881669A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211174591.5

申请日：2022-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金庸镐 ,  张宇镇 ,  安正勋 ,  崔允基

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

Abstract: 提供了一种半导体封装，其包括：第一芯片基板，包括第一表面和第二表面；贯通通路，穿过第一芯片基板；上钝化层，在第一芯片基板的第二表面上包括沟槽，沟槽暴露第一芯片基板的第二表面的至少一部分；上焊盘，在沟槽上与贯通通路电连接；第二芯片基板，包括第三表面和第四表面；下焊盘，在第二芯片基板的第三表面上电连接到第二芯片基板；以及连接凸块，将上焊盘与下焊盘电连接并接触下焊盘，其中随着连接凸块变得更远离第一芯片基板的第二表面，连接凸块的宽度增加。

公开(公告)号：CN113224056A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202011271904.X

申请日：2020-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁少锋 ,  姜旻局 ,  金知炯 ,  安正勋 ,  刘海利 ,  崔允基

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/522 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括逻辑单元区域和连接区域；虚设晶体管，所述虚设晶体管位于所述连接区域上；中间连接层，所述中间连接层位于所述虚设晶体管上；第一金属层，所述第一金属层位于所述中间连接层上；蚀刻停止层，所述蚀刻停止层位于所述中间连接层与所述第一金属层之间；贯穿接触，所述贯穿接触位于所述第一金属层下方，所述贯穿接触穿透所述连接区域，所述贯穿接触的上部突出超过所述蚀刻停止层；以及保护绝缘图案，所述保护绝缘图案位于所述蚀刻停止层上，所述保护绝缘图案覆盖所述贯穿接触的所述上部。所述保护绝缘图案覆盖所述贯穿接触的上侧表面和所述贯穿接触的顶表面。

公开(公告)号：CN113224056B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202011271904.X

申请日：2020-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁少锋 ,  姜旻局 ,  金知炯 ,  安正勋 ,  刘海利 ,  崔允基

IPC: H10D84/85 ,  H10D84/03 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H10B80/00

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括逻辑单元区域和连接区域；虚设晶体管，所述虚设晶体管位于所述连接区域上；中间连接层，所述中间连接层位于所述虚设晶体管上；第一金属层，所述第一金属层位于所述中间连接层上；蚀刻停止层，所述蚀刻停止层位于所述中间连接层与所述第一金属层之间；贯穿接触，所述贯穿接触位于所述第一金属层下方，所述贯穿接触穿透所述连接区域，所述贯穿接触的上部突出超过所述蚀刻停止层；以及保护绝缘图案，所述保护绝缘图案位于所述蚀刻停止层上，所述保护绝缘图案覆盖所述贯穿接触的所述上部。所述保护绝缘图案覆盖所述贯穿接触的上侧表面和所述贯穿接触的顶表面。

公开(公告)号：CN116031249A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211181515.7

申请日：2022-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁少锋 ,  金知炯 ,  朴媛智 ,  安正勋 ,  吴在熙 ,  崔允基

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/48

Abstract: 公开了一种三维集成电路结构，其包括有源器件管芯和堆叠在有源器件管芯上的无源器件管芯。有源器件管芯包括：第一基板，包括彼此相反的正面和背面；在第一基板的背面上的供电网络；在第一基板的正面上的器件层；在器件层上的第一布线层；以及从供电网络垂直地延伸到第一布线层的贯通接触。无源器件管芯包括：第二基板，包括彼此相反的正面和背面，第二基板的正面面对第一基板的正面；在第二基板的正面上的层间电介质层，层间电介质层包括至少一个孔；在孔中的无源器件；以及在无源器件上的第二布线层，其中第二布线层面对并连接到第一布线层。

公开(公告)号：CN115223992A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210164638.3

申请日：2022-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正镒 ,  安正勋 ,  崔允基

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/48 ,  H01L27/088 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件，包括：第一导电下布线，被设置在第一金属层级并且沿第一方向延伸；第一上布线结构，被连接到所述第一导电下布线并且包括第一导电上布线和第一导电上过孔，其中，所述第一导电上布线被设置在比所述第一金属层级高的第二金属层级并且沿与所述第一方向不同的第二方向延伸；以及导电插入图案，被设置在所述第一导电下布线与所述第一上布线结构之间并且被连接到所述第一导电上过孔。所述导电插入图案的上表面在所述第一方向上具有第一宽度，并且所述第一导电上过孔的底表面在所述第一方向上具有小于所述第一宽度的第二宽度。